台湾地区产研界联手开发相变化内存技术

为促进内存产业的突破性进展，台湾地区工研院电子所宣布与该地区四大内存制造商力晶(PSC)、南亚科技、茂德(ProMOS)和华邦签订合作协议，联合五家机构的经费与人力投入新一代内存技术——相变化内存(PCM)的研发，预计三年之后将有初步的成果显现。

作为非易失性内存的一种，相变化内存利用属于硫化合物(Ge、Sb、Te)的相变化材料做为记忆核心；通过电流加热使该材料发生温度变化，即产生不同的电阻值来进行记忆功能。工研院电子所所长陈良基表示，相变化内存具备小体积、低功耗、读写速度快与高密度等优点，是有望取代现有DRAM与闪存的所谓“终极内存”。

“电子所在三年前成立了相变化内存研发团队，且所有的技术成果都是台湾地区本土的产出。”陈良基指出，虽然电子所的技术研发已经小有成绩，但要让相变化内存迈向商业化，必须持续投入庞大的经费与精力；为了分散风险并加快研发速度，该所自去年10月起就主动与存储器制造商接洽合作事宜，也成功获得力晶、南亚、茂德与华邦的支持，将由四家厂商在三年内提供约380万美元的经费与人力，与工研院一同进行相变化内存研发。

出席签约仪式的四大厂商的高管皆表示，台湾地区内存厂商规模与三星、英飞凌等国际大厂相比有一段差距，研发资源仅能支持目前生产线上的DRAM等相关技术，在新一代内存的开发上仍属心有余而力不足，因此能够参与电子所的这项合作计划，对于各家厂商来说都是一个发展关键机会。这项计划将在第一年由电子所投入20名人力进行相变化内存基础研发，并在第二年后由四家厂商各自成立研发团队，与电子所人员共同研究。

“我们预计可在三年后完成相变化内存的基础架构研发，推出兆位级的内存模块；而第二个三年则是实际进行商品化量产的研发，由各家厂商依专长推出不同应用的产品。”陈良基表示，相变化内存因应用广泛，且其工艺与现有的内存工艺相近，因此该所首次采取与多家厂商合作研发的方式，希望集合产业界力量以提高成功机率；此外电子所也与台积电合作进行MRAM的研发。

据统计，相变化内存市场产值可在2008年达到近10亿美元的规模，甚至有望在2012年超过30亿美元，庞大商机让全球内存厂商跃跃欲试。三星、英特尔与意法半导体等都已经积极投入该技术的研发，但目前尚属研究阶段，距实际量产仍有一大段距离。

作者：郑伃君