Spansion发布ORNAND2，加入NAND战局

自从NAND型闪存销售额在2005年第一季度超越NOR型闪存一举成为主流闪存产品，NOR闪存供应商的市场日渐缩水。先有英特尔与美光合作谋求NAND市场发展，后有英特尔与意法合资成立的闪存公司Numonyx。曾经与英特尔一同垄断NOR闪存市场的Spansion，也早已凭借发布模糊NOR和NAND界限的MirrorBit技术进军NAND市场。 近日，Spansion公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品生产计划，有望提高写入速度达25%，读取速度提升一倍，而裸片尺寸显著减小。MirrorBit是Sapnsion专有的电荷俘获技术，它以MirrorBit为核心可开发NOR和NAND存储单元。此前，Spansion所发布的ORNAND1、Quad和Eclipse产品是基于NOR架构，而ORNAND2则是按NAND阵列架构连接，进一步扩张了产品线的多样化程度。

Bertrand Cambou：在传统技术遭遇瓶颈而新技术尚未诞生之间的空窗期，MirroBit可以保障闪存技术继续朝前发展。Nzeesmc

一度专注于NOR闪存市场并从英特尔手中抢过NOR市场头把交椅的Spansion，其市场策略是否会随着踏入NAND市场而发生微妙的变化呢？Spansion总裁兼首席执行官Bertrand Cambou强调，Spansion专注于一个集成化的细分市场，这个以手机、消费电子、汽车电子以及服务器为代表的市场所追求的是可靠性和速度；而以闪存卡、USB驱动器和SSD为代表的大众化市场以单位比特价格为诉求，产品同质化严重，市场竞争激烈。“Spansion注重闪存的品质，这一点正切合集成化市场对可靠性的要求。”Cambou补充道。 处于微利时代的半导体行业，成本时刻牵扯着设计、生产、组装各环节的敏感神经，多层存储单元(MLC)因为能在每个单元内存储多个数据，而比标准闪存结构—单层存储单元(SLC)受到闪存厂商的青睐。在目前闪存价格走向割喉战的情况下，甚至有观点认为MLC将成为闪存市场的主流架构。而此次Spansion发布的ORNAND2技术则采用SLC架构，完全看不到以MirrorQuad每单元存储4位数据而领跑MLC技术的姿态。 对此，Spansion安全与高级技术事业部执行副总裁Carla Golla解释说：“Spansion在43nm MirrorBit ORNAND2技术上的关注点将是基于SLC解决方案的产品。相对于竞争对手，ORNAND2的优势是结合了更小的裸片尺寸和更高性能。同时，NAND市场非常认同这一类型的解决方案，并给予SLC产品较之MLC产品更高的评价和重视。这一点在用于手机的1.8V解决方案中尤其明显，而这一市场也正是Spansion目前专注的市场之一。”SLC与MLC的存储量不同决定了SLC更稳定，具有写入速度快以及寿命长的优点，换而言之，SLC的价值在于可靠性与耐久性。 与传统浮动门技术相比，Cambou更强调MirrorBit技术的兼容性强、成本投入低，ORNAND进一步发挥了MirrorBit高效率的特点，其所需的掩膜比MirrorBit NOR技术少25%，当工艺节点从65纳米向43纳米转移时，只须添置浸润光刻机，设备兼容性良好有助于制造商降低成本。Spansion预测，浮动门技术将在2016年遭遇22纳米的工艺极限，而MirrorBit可达到18纳米节点。“在传统技术遭遇瓶颈而新技术尚未诞生之间的空窗期，MirroBit可以保障闪存技术继续朝前发展。”Spansion在进行20纳米的技术研究中，改变了其中的一些存储单元，更换了一种特殊的蚀刻技术，以此突破业界普遍认为22纳米的工艺难点。 据了解，Spansion的43nm MirrorBit ORNAND2技术开发已经在美国亚微米开发中心顺利完成，该技术将转移至中芯国际在武汉设立的300mm晶圆厂，计划在2009年投入量产。Cambou表示，Spansion与中芯国际43纳米节点的合作是基于两家公司在生产65nm MirrorBit NOR产品基础之上的扩大合作。目前，中芯国际为Spansion转移43纳米技术的唯一晶圆厂。与此同时，Spansion计划在2009年大幅提高其SP1旗舰级300mm晶圆厂的45nm Spansion EcoRAM、MirrorBit NOR和Eclipse解决方案的产量。Spansion预计将在其亚微米开发中心完成用于MirrorBit ORNAND2、MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM的32nm MirrorBit技术的开发工作，并于2010年投入量产。中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士透露，32纳米工艺节点的相关合作项目已在洽谈中，有望在一年内通过技术转移的方式从海外转入。