恒忆65nm高密度闪存提高速度与安全性

作为组建不到一年的存储器制造商，恒忆公司自去年三月正式成立以来就将65nm NOR闪存作为其主推的重点之一，不仅与日本尔必达正式签署代工协议，利用后者位于广岛的300mm晶圆厂保证其NOR闪存的产能，同时也加快了新产品研发速度，并于不久前推出新型65nm系列产品的第一款M29EW，密度高达2GB，支持流行的M29行业标准，目标直指工控设备、通信设备以及消费电子等嵌入式产品。此举也意味着恒忆开始大举进军高密度嵌入式NOR闪存市场。

Glen Hawk: 恒忆计划明年推出45nm产品，两年后将进入32nm。nRiesmc

“2008年全球嵌入式非易失性存储器市场约为52亿美元，其中大部分约37亿美元属于嵌入式NOR闪存，另外15亿美元为嵌入式NAND闪存。”恒忆公司副总裁兼嵌入式事业部总经理Glen Hawk表示，“我们的成立集中了两大业内领先存储器供应商的优势，其中意法半导体公司在串行的NOR闪存上一直保持着市场第一的地位，同时他们在SPI产品上增长速度也非常快；而另外一大股东英特尔则在并行NOR闪存全球排名第一。我们目前的M29W/DW系列并行NOR闪存最大可做到128M，而新推出的M29EW系列容量将可以从32M一直到2G。” 由于当前嵌入式系统所包含的数据和代码数量迅猛增加，闪存编程成本和时间也随之上升，因此除了容量提高以外，恒忆还特别针对闪存的编程速度进行了优化。据介绍，新的存储器系列编程速度接近每秒1.5MB，可以全芯片编程，与目前市场上常见的产品相比速度快11倍，如256Mb编码大约需要23秒，这对于系统制造商而言在生产时间和成本上的节约是显而易见的。 随着嵌入式系统的不断发展，其存储器子系统越来越需要更为安全的解决方案。“我们对客户进行服务的时候发现，行业用户常担心盗版以及对他们知识产权的侵犯或盗取，”Hawk说道，“所以在产品设计之初，我们就考虑到要设计非常多的安全特征，可以让用户进行代码保护，防止外界的复制、克隆或者侵入。”他表示，新的存储器增加了密码验证功能，在读取存储数据时需要提供一个64位密码，同时禁止对代码和数据的恶意修改及非法软件覆盖或擦除存储器内的代码和数据，另外用户还可以选择设置为完全不能改动的永久性保护，以保护引导程序以及初始化代码。这样系统制造商无论是自己制造还是由合同商代为制造，都能够保护存储在产品上内容的知识产权。 恒忆采用65nm技术的NOR闪存已经量产18个月，制造流程已经非常可靠和成熟。针对嵌入式应用的65nm技术让恒忆得以支持更长的产品生命周期，提供更强的产品特性并降低成本，该公司计划把65nm制程的优势引入其面向嵌入式市场的众多NOR产品中，包括并行和串行解决方案。 由于有意法半导体和英特尔的多年耕耘，目前恒忆在无线应用领域已成为业内公认的领导者，不过在嵌入式应用上其优势并不突出，大约占有20%的市场份额。Hawk对此评论道：“这意味着市场上还有80%的市场等待着我们占领，对于恒忆来讲，特别是对于我领导的嵌入式产品部来讲，我们的一个宗旨就是使占有另外的80%市场份额成为现实。”