AOS高管访谈：积极进军新能源领域

ALPHA & OMEGA semiconductor(中文名:万国半导体,下文简称AOS)公司全球销售副总裁Tony Grizelj在IIC China 2012展会访谈中向记者透露AOS正积极拓展其在高功率应用领域的解决方案。 AOS为消费、计算等领域提供电源管理方案，拥有广阔的产品系列，包括Power MOSFET，Power IC，TVS等。Tony Grizelj介绍，MOSFET是AOS传统强项，在开关速度、减小损耗方面拥有优异表现，在PC应用上取得了世界前三的市场地位。AOS又推出了新的UniSiC MOSFET,针对大型太阳能逆变器等高端应用，可在发挥SiC MOSFET优势的同时，显著降低由于二极管带来的能源损耗，在提高能源效率上有突出优势。 在对MOSFET价格缓慢下降的市场预期下，AOS采取减小成本、改进技术的策略保持价格优势。Tony Grizelj介绍，AOS今年1月收购了IDT位于美国俄勒冈的一家Fab厂，不仅可以保障产能，控制成本，更重要的是能够缩短新工艺新产品的开发周期。与作为主要竞争对手的其他电源大厂相比，AOS在新工艺方面更加锐进，其Power MOSFET产品采用8寸晶圆，在高良率，高性价比方面占技术优势。

AOS万国半导体全球销售副总裁Tony GrizeljBRLesmc

成本优势还有一个秘诀是：中国。 AOS产品的封测线集中在中国，在上海拥有支持全球客户的应用技术中心。Tony Grizelj介绍，中国市场虽然目前在AOS全球业绩中所占比例还不高，但中国市场上升很快，他对十二五计划中绿色能源的发展抱持很大希望。 AOS为继续开拓其在太阳能及其他绿色能源等高功率应用中的市场占有率，正积极开发新产品线αIGBT，据介绍，这种技术结合了一种独立单元和垂直器件结构，提供了优异的导通和开关特性，同时保持了可靠的短路性能。 以下是AOS万国半导体的部分代表性产品信息： * 60V N-沟道 MOSFET AON6242 AON6242 是一款运用最先进沟道工艺为高频开关工作专门优化的高效60V MOSFET。它具有极低的RDS(on)和Crss，极大的减少了功率的损耗。同时，得益于集成的软恢复体二极管，有优异的高频开关特性。该器件是升压转换器和同步整流的理想开关元件，可以应用于消费电子，通信，工业电源以及LED背光领域。 产品简介 VDS：60V
ID (Vgs=10V)：85V
RDS(on) (Vgs=10V)：<3.6mΩ
RDS(on) (Vgs=4.5V)：<4.5mΩ
100% UIS 测试
100% Rg 测试 *αIGBTTM 技术和产品 αIGBTTM是AOS利用业界最先进的IGBT技术开发出的高性能高可靠性的分立IGBT产品。该技术结合了一种独立单元和垂直器件结构，提供了优异的导通和开关特性，同时保持了可靠的短路性能。 规格: VCE(MAX): 600V or 1200V
IC: 5A 至 75A @Tc=100℃ 特点: 技术: αIGBTTM, 场终止技术
VCE(SAT): 1.6V，EON/EOFF: 250/110uJ，最佳的导通损耗和开通/关断损耗的平衡
QGC/QGE: 1.5 ，适合于高dV/dt的桥式应用
低Gm，CGC适合于并联应用，无振铃问题
二极管VF压降小，软恢复特性好，能很好地消除EMI问题
短路承受时间 >10uS 应用: 变频器，UPS, 电焊机，洗衣机，电磁炉

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