现今电子产品正变得越来越复杂，功能正在扩大，设备要连接到网络，用户接口运用更多图形和互动。这些进步需要更快的随机读取性能，满足消费者的体验期望；而储存下载的应用程序和用户数据，也需要更高密度的闪存。闪存已成为系统内更加重要的组成部分。
针对相关技术的发展，Spansion资深副总裁暨首席技术官Saied Tehrani表示，闪存技术正持续演进和扩大规模来满足这些新的产业发展趋势之需要；但仍需要架构和接口的进化，使性能达到更高的水平。那些需简化内存子系统的应用程序和需减少针脚数的优势产品，将会持续从平行闪存转型到串行闪存。
电荷捕获技术，解决可靠性问题
再者，标准型NAND Flash内存产品最大挑战之一在于浮动栅技术的缩放比例。业界发现今日的解决方案2 xnm节点，在质量和可靠性方面造成严重降级，使得错误侦测、错误更正码和控制器更加错综复杂。Tehrani指出：“浮动栅技术正面临瓶颈，我们将需要新的记忆产品。Spansion相信电荷捕获技术可能是桥接业界需要，实现 1 x nm NAND的未来走向。”
基于此，Spansion的65nm闪存产品已使用电荷捕获技术，而45nm电荷捕获技术平台已达合格要求，未来可使用在并行和串行 NOR 产品的发展。另外，Spansion也应用电荷捕获技术来创建在43nm节点上NAND的产品。Saied Tehrani强调：“这项技术证明了平面、可扩展的 1Xnm NAND的生产技术是可行的。”此外，电荷捕获技术也可用于3D NAND产品。整体而言，Spansion未来将持续投资于更高性能和密度的嵌入式NOR Flash内存市场的解决方案。
Spansion目前在嵌入式市场提供三种主要类型的非挥发性闪存产品，包括并行 NOR Flash、串行 NOR Flash 与单层式NAND Flash。主要应用目标领域包括汽车、工业、计算机科技、通信、消费产品、游戏和部分无线产品。Spansion最新一代的 65nm 并行 NOR、Spansion GL产品、串行 NOR和Spansion FL产品等能提供业界最快的读取的性能，因此广获业者青睐。
Spansion的语音协同处理器
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Spansion新近发表搭载 Nuance VoCon 软件引擎的Acoustic Coprocessor （Spansion语音协同处理器），便备受汽车业等领域的期待。据了解此为业界第一款人机接口 （HMI） 协同处理器，可提供以语音控制的系统接口，主要应用于汽车、游戏及消费性电子产品的语音识别系统。Spansion Acoustic Coprocessor包含自定义设计的逻辑与高速内存，以促成并优化具有语音功能的人机接口，同时减轻传统 CPU 处理声音数据的工作负载。
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弹性产能及服务，满足多元需求
针对中国大陆市场的经营，Spansion则推出了新的低密度串行闪存产品，从4 Mb到64 Mb，目标为消费类电子产品。Spansion在中国的重点市场包括机顶盒、家庭联网设备如调制解调器和家用网关，以及像推动下一代 4G/LTE移动基础设施的企业网络设备。
Tehrani表示，Spansion的客户包括市场最受欢迎的品牌，以及较小的利基型电子公司等。Spansion近年更获得许多公司所颁赠的最佳供货商奖，其中包括Coship, 富士通, 华为, TCL和中兴等公司。
Spansion在中国拥有专注于客户端的工程师、市场营销和销售团队来直接服务客户，并且广泛支持全球和区域的经销商，包括艾睿，安富利，亚讯科技，益登科技，e络盟，北高智，汇新和威健，提供销售和技术支持网络。Spansion最近还在镇江和上海成立新的研究与开发中心，聚焦于发展具成本竞争力的串行 NOR 闪存，开发中国和全球市场。事实上，包括中国大陆在内的亚太市场，其2012年第一季营业额已占Spansion总营收将近三分之一。
根据Spansion所提供的资料，该公司新近于2012年的第一季，在嵌入式 NOR市场取得领先，营收达2亿1,900万美元，并且赢得超过450种闪存产品的新设计。有关生产策略，Saied Tehrani指出，Spansion的生产策略是充分灵活利用在得克萨斯州奥斯汀市的内部晶圆厂，广泛生产110nm、 90nm和 65nm技术的产品，并从代工伙伴包括在中国武汉市的中芯国际获得额外的产能来补充产能需求。这个具弹性的产能，可确保我们能够响应客户需求的变化。
推动嵌入式IP授权业务，与晶圆大厂合作
的确，对于嵌入式内存业者而言，满足多样化市场为相当大的挑战，台湾的常忆科技主要以嵌入式闪存IP授权满足客户的多元需求，包括手机NFC SIM、触控银幕、智能卡、MCU、PC与外围、智能型家电、工业控制等各类产品。其中又以NFC SIM及智能卡等为市场主力。常忆科技新近便推出pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接触/接触双适配卡解决方案，适用于低功率传输装置例如银 行卡，NFC等。
pFusion III嵌入式Flash+EEPROM及非接触/接触双适配卡解决方案
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据了解，常忆科技所推出的0.18um pFusion嵌入式闪存解决方案，已与多家晶圆合作伙伴合作生产超过3年，本次推出的0.13um pFusion嵌入式闪存解决方案，系扩展其应用领域，提供许多非接触/接触双适配卡产品更进一步降低成本的途径。
常忆科技创立于1995年，该公司由pFlash和pFusion两个事业单位组成，前者pFlash主要为开发和生产标准型NOR内存，后者pFusion则负责将嵌入式非挥发内存的生产技术及智财权授权予晶圆代工厂及IC设计公司，并提供客制化设计及技术咨询服务。
pFlash和pFusion的擦写规格包括20万次擦写后仍可保存数据长达20年，以及低于百万分之四的出货质量水平。常忆pFusion事业处总经理张有志指出，”存储单元具有专利的双晶体管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的数据写入机制，可确保最佳的擦写与读取性能、智财面积的最小化、以及最短的测试时间。此外，闪存单元的制造技术使用传统的ETOX结构，使工厂的生产和微缩更简单容易。”常忆并预计于2014年推出65nm pFusion嵌入式闪存解决方案。
张有志表示，就目前常忆的营收比例而言，仍以标准型NOR内存的贡献较大，然而，智财权(IP)收入的比重虽低，但毛利率相当高，张有志指出，”在IP部分，我们目前的主要客户为和鉴、中芯等。未来将积极打入其他晶圆代工业者，致力拉升营收比重。”
就全球嵌入式闪存产业生态来看，以常忆及SST(已并入Microchip)这两家公司耕耘嵌入式闪存IP最深，而随着全球手机支持手机付费功能及触控功能的发展，常忆科技在此领域的成绩颇受期待。
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