受惠于智能手机及平板电脑的需求增长，以及企业用固态硬盘(SSD)市场开始明显升温，一般预期2014年的 Flash芯片需求将延续今年态势，持续呈现成长局面。根据调研机构TrendForce预估指出，NAND Flash芯片的2014年产值将年增13%，这是连续两年达成双位数以上的成长。
此外，在2013年的台湾半导体产业论坛(SEMICON TAIWAN 2013)中，来自外资券商瑞银(UBS)的分析师Nicolas Gaudois也指出，2013年NAND Flash芯片成长44.8%、2014年则预期将成长42.8%，超乎原先内存厂商的预期。另外，值得注意的是，3D NAND Flash芯片预计将于2014年开始启动量产。
2017年市占率突破六成
就趋势来看，平板电脑和智能手机持续需求更大容量及更便宜的内容储存，促使NAND Flash芯片制造商不断改良他们的产品制造技术。过去，NAND Flash芯片制造商致力将产品微型化，现在则是利用3D技术将进展重点从微型化转移至增加密度。和传统闪存相比，3D NAND Flash芯片的性能、稳定度、耐久性都较为优良，而且可以大幅降低成本，对消费者而言是性价比极高的内存解决方案。
TrendForce则认为，3D NAND Flash芯片的产品虽然在2013年底开始有厂商陆续推出样本，但3D NAND Flash芯片在生产良率的提升与效能的改善需要较长的时间，同时在应用端与主芯片及系统整合的验证流程更是如此，因此3D NAND Flash芯片的量产时间点最快将落在2014年下半年，甚至是2015或2016年。
另根据IHS Flash Dynamics的研究，3D技术在NAND市场的占有率于2014年将跃升至5.2%，至2015年更会快速推进至占闪存出货量的30.2%。在2016年，3D NAND Flash芯片的市场占有率将扩大至49.8%，直至2017年甚至将高达65.2%。
韩国三星拔得量产头筹
在竞相投入的国际内存大厂中，三星显然已拔得头筹，在2013年八月间便公开宣布已开始量产业界第一款3D垂直NAND(V-NAND) Flash芯片。V-NAND闪存采用垂直单元结构，可以在单个芯片上实现128 Gb的容量，此垂直结构是基于3D CTF(Charge Trap Flash)技术和垂直堆栈制程技术，这些技术让3D V-NAND能够提供比现时20nm平面NAND Flash多两倍的扩展能力，得以突破目前NAND Flash闪存技术的缩放比例限制，且产品的可靠性是上一代的2至10倍，写入速度则是原来的2倍，并可扩大快闪储存容量至1TB以上。
韩国三星宣布量产3D NAND Flash芯片
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之后，三星并宣布将推出第一款采用3D V-NAND Flash芯片制成的固态硬盘V-NAND SSD，此产品的尺寸为2.5寸7mm SSD，主要针对服务器和数据中心等企业级市场应用。调研单位IHS预期V-NAND固态硬盘和传统闪存的成本将会相差很远，所以三星的首要对象为企业市场。
即将上市的V-NAND SSD分别推出960GB、480GB两款容量版本，搭配SATA 6Gbps主控制器，配合2.5寸7mm规格提供更大的设计灵活性和可扩展弹性。其中，960GB容量搭载64颗MLC 3D V-NAND Flash芯片，持续和随机写入速度提升超过20%，而且功耗也可降低超过40%。
除了韩国三星外，美光(Micron)也已宣布将于2014年第一季生产3D NAND Flash芯片，此新产品主要应用于高端电子产品。SK海力士也于2013年8月宣布了他们的3D NAND Flash芯片计划。据了解，SK海力士的首个3D产品将同样采用垂直结构，容量为128 GB，SK海力士同时也将试验16纳米工艺。另外，包括SanDisk、日本东芝(Toshiba)等内存厂商都已宣布3D NAND Flash芯片计划。
2015年开始影响Flash供需
基本上，3D NAND Flash芯片的实现架构可以分为垂直堆栈与水平堆栈两种。上述三星近期开始量产的V-NAND闪存(Vertical-NAND)，便是采用垂直堆栈架构，另外，三星也有水平堆栈的VG-NAND架构。至于东芝、SK海力士、美光分别开发的P-BiCS、SMArT及DG TFT(Dual gate TFT)架构也是属于垂直架构。目前看来，在3D NAND Flash芯片市场中尚未看到最大赢家，不同技术的厂商将各拥不同的利基市场。
从传统的闪存平面技术过渡至3D NAND Flash芯片，意味着厂房需投入巨资并购进新机器设备，且3D NAND Flash芯片和目前市场上的终端设备接口不同，需花费时间磨合及适应。再者，由于产品的多重结构及难于进行故障分析，因此首轮的3D NAND Flash芯片生产将非常有限，3D技术还需一段时间才会在市场上出现显著增长，业界预估最快要在2015年，3D NAND Flash芯片才有可能影响目前市场上闪存的供应状况。
随着高性能产品在企业市场持续升温，预期3D NAND Flash芯片供货商将能享有极大的利润空间，并持续在过程中改良技术，而随着性能方面的提升，新的3D垂直NAND Flash芯片将大范围应用于消费电子和企业应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘，3D NAND Flash芯片将呈现大幅增长。
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