市场研究机构 Coughlin Associates 的最新报告预测，磁阻式随机存取内存(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torque transition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
Coughlin Associates 的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STT MRAM市场营收规模可望由 2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元；期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
因为MRAM能以CMOS逻辑制程生产，使其适合做为嵌入式非挥发性内存使用；该种内存需要额外的磁性材料层以及专门的生产设备，与生产硬盘机内磁性读写头(magnetic read sensors)的设备类似。Coughlin Associates估计，市场对独立MRAM组件与嵌入式MRAM的需求，将驱动MRAM制造设备市场的成长；该市场规模将由2013年的5,290万美元，在2019年成长至2.463亿美元。
除了MRAM，Coughlin Associates 的报告还讨论了相变化内存、电阻式内存(ReRAM)、铁电内存(FeRAM)以及碳奈米管等技术；该报告指出，ReRAM也有取代闪存的潜力，但恐怕还要再过十年才可能发生，至于MRAM取代SRAM与DRAM的情况在接下来几年就会看到，可能早于ReRAM取代闪存的时程。
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责编：Quentin
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