EPlesmc
据悉，日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26%和46%，占位面积分别减小50%和76%。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗，从而节省能源，10V条件下优异的栅极电荷仅为45nC，减少栅极驱动损耗。EPlesmc
这款新型MOSFET可在+175℃高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。EPlesmc
该器件100V额定值满足12V、24V和48V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。EPlesmc
SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。EPlesmc
*国际电子商情对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。EPlesmc
责编：Momoz
扫码分享到好友
