中国北京 – 2022 年 6 月 14日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。Vm1esmc
GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。Vm1esmc
Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置性，可实现多种 GaN PA 偏置并自动校准系统。它集成了功率 MOSFET 和电流数模转换器，方便器件精准检测 PA 静态漏极电流。此设计采用电源管理，对 GaN 偏置流程进行简化。Vm1esmc
ACT41000 可在 4.5 到 40 V 的输入电压下运行；在 4 A 电流下，可生成最高达 24 V 的稳定可调的输出电压，变化幅度为 12.5 mV。ACT41000 带有评估平台和 GUI，可帮助客户调节输出漏极电压、静态和最大漏极电流、PA 器件电流，以及电压保护、开关频率和其他功能，从而优化 GaN PA 性能。Vm1esmc
在用户接通系统电源后，将会自动执行此流程进行自动调试，防止因为老化或剧烈温度波动造成故障，因而可降低测试难度，提升自动化水平。ACT41000 内置可配置性，可为不同市场（包括卫星通信、5G、雷达等）内的各种 Qorvo GaN PA 提供偏置。Vm1esmc
Qorvo 可编程电源管理产品高级主管 David Briggs 表示：“Qorvo 致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了 Qorvo 功率产品与 GaN 产品组合，是我们产品组合扩展计划的一部分。”Vm1esmc
Qorvo 是应用集成产品（如 ACT41000）市场的领军企业。观看视频教程，了解 ACT41000 如何经过专门设计从而与Qorvo 行业领先的 GaN 产品进行集成。Vm1esmc
有关 Qorvo 解决方案、公告和会谈咨询的更多信息，请访问 Qorvo IMS 2022 专题页面。Vm1esmc
责编：Clover.li
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