宽禁带半导体SiC/GaN具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性,因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用,被视为电力电子领域的颠覆性技术。 12月7
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宽禁带功率半导体市场潜力巨大,未来几年将保持高速增长UnIesmc
SiC加速垂直整合,GaN垂直分工与IDM模式并存UnIesmc
汽车电气化趋势,将推动宽禁带功率半导体大规模上车应用UnIesmc
Source:化合物半导体市场UnIesmc
封面图片来源:拍信UnIesmc
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