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200层以上技术竞争激烈,NAND“3大厂+1黑马”格局浮现!

2021年存储市场起伏跌宕,从下半年起零组件供给不均衡影响价格的局面延续至2022年,尽管各类终端持续提高大容量的存储需求,但产能供给过剩的疑虑仍将压抑NAND Flash价格走势,影响业界普遍看跌。

据TrendForce集邦咨询数据,2022年第一季整体NAND Flash合约价跌幅较原先预期的10~15%,收敛至8~13%。主要是受到PC OEM加单PCIe 3.0,以及西安封控管理对于PC OEM采购议价心态的影响。因此,为避免物流面临风险,采购端也较愿意接受较低的合约价跌幅,以尽快拿到产品。但西安封控管理并没有对当地工厂的产出造成显著的冲击,预计对后续合约价走势不会产生太多影响。i5Cesmc

现货市场价格方面,供应端在事件发生之后,因担忧后续冲击而暂缓报价,使得近来价格未再破底,然虽有止跌现象,但并未伴随抢购的情形,在交易量方面持续维持低档。根据TrendForce集邦咨询对NANDFlash现货市场的观察,显示采购终端库存量仍充足,且不急于目前的价格水位启动备货。i5Cesmc

主要产品合约价方面,整体价格跌势较原先预期收敛。以Client SSD来说,由于笔电的制造产能随着长短料问题改善,尽管Chromebook需求下降,但整体出货量仍因商务型机种订单而有所支撑,故使第一季笔电出货衰退幅度较过去同期淡季收敛。此外,Intel新一代支援PCIe 4.0的Alder Lake产品出货不如预期,导致PC OEM采购为了满足首季出货目标而回头加单PCIe3.0 SSD,但供应端在物料准备上已逐步转向PCIe4.0,而出现供需落差,且封控管理的消息使得采购端欲加速锁定交货量,进而使得Client SSD价格跌幅由原先的5~10%收敛至3~8%。i5Cesmc

另外,由于智能手机需求仍维持低档,再加上品牌商的库存水位也仍在高点,以大量议价采买的意愿不高;供应商则受惠于PC OEM自2021年11月以来的加单,平均的库存水位稍获调节,因此降价幅度略微收敛,预计相关的UFS产品跌幅将自原先预估的8~13%,下修至5~10%。至于server端以及wafer端的价格走势方面则影响不大,跌幅仍依原先预期分别为3~8%及10~15%。i5Cesmc

市场格局方面,随着投资金额门槛提升,2022年NAND产出增幅将趋于保守,市场龙头三星电子(SamsungElectronics)虽然仍将掌握市场价格的话语权,但新进竞争者长江存储在研发技术站稳脚步后,对市场影响力渐增,而业界对堆叠技术追求也可望于2022年底挑战200层以上新里程碑,将牵动下一阶段NAND产业竞赛的优胜劣败。i5Cesmc

终端装置存储容量攀升首季跌幅将成全年最高i5Cesmc

由于上游晶圆代工产能不足问题难解,2021年NAND面临存储芯片不缺、控制芯片紧缺的奇特现象,导致小容量的低阶产品被迫提前淡出市场。SSD等成品价格跌幅也相对缓和,2022年虽然控制芯片取得较多的晶圆产能支援,但依然延续需求超过供给的态势,带动NAND控制芯片报价2022年延续上扬走势。i5Cesmc

根据估计,2021年NAND需求成长约37~39%,2022年将再成长接近30%。China Flash Market预估,2020~2025年NAND将呈现30%的年成长率,而整体供应量将从2020年4100亿GB,成长到2025年14800亿GB,尤其数据中心可望维持39%的复合成长率,预料将成为NAND最大的市场驱动力。i5Cesmc

从消费性SSD部分,512G产品成为PC OEM主力容量,并且逐步向1TB推进,而游戏主机SSD应用成为趋势,可望大量消耗存储容量,玩家普遍预期搭载1TB以上的大容量SSD,后续外接扩充需求也将持续成长。i5Cesmc

笔记本电脑市场2021年需求强劲,年成长达15.3%,但经过连续2年成长及疫情弱化,除商用笔电相对稳健外,消费性及Chromebook动能转弱。尽管2022年笔电装置出货可能面临下滑,但SSD渗透率持续提高,业界预期2022年搭载率将达9成,且第1季起OEM新机搭载PCIe Gen4 SSD需求快速成长,单一装置搭载存储容量将成长近2成,估计到2024年搭载SSD的PC将逼近100%。i5Cesmc

手机市场2022年维持温和成长,但产品规格演进持续推动,UFS 2.1将逐渐渗透至低阶机种并侵蚀eMMC产品线,迫使eMMC将大幅转向至其他消费性产品应用或部分低价的4G手机。目前高阶机种以UFS 3.0/3.1为主流规格,市场比重约占20%,但2022年将开始搭载至中阶机种。i5Cesmc

多家手机品牌大厂规划进入UFS 4.0,预计从2023年导入新机速度加快,此外,2021年搭载容量普遍从128G起跳,2022年存储容量也将朝向256/512GB靠拢。i5Cesmc

数据中心及企业级存储,虽然在2021年下半出现短期库存升高的疑虑,延续至2022年第1季呈现中高个位数幅度下滑,但数据中心及伺服器的升级需求依然庞大,包括公有云的领域也将带来巨大的成长,加上国际疫情反复变数存在,与病毒共存的现象恐将延续数年。i5Cesmc

企业已意识到不能等到疫情完全控制才做投资,且远端需求的趋势难以回头,北美云端大厂2022年对升级与投资的成长力道抱以正面态度,将有助于2022年NAND存储需求稳健成长,NAND制程仍以128层为主,2022年下半将可望导入176层3D NAND。i5Cesmc

2022年第1季在传统淡季持续调节库存及需求下,NAND仍处于供过于求局面,业界估计单季价格将修正10~15%,但首季将是全年跌幅最大的时间点,第2季起价格下滑将转趋收敛,单季跌价有望控制于5~10%。i5Cesmc

群联董事长潘健成更认为,整体来看,下半年价格走势将优于上半年,在终端装置存储搭载容量提升下,第3季NAND将可望重回供需吃紧,呈现价格持平或上涨,第4季价格则要观察新制程良率的瓶颈改善进度及市场需求支撑。i5Cesmc

NAND原厂供给成长缓和产业竞争差距持续扩大i5Cesmc

纵观2021~2022年NAND产出增幅,虽然略高于需求的成长,但3DNAND投资门槛持续拉高,各家原厂新增投片量有限,堆叠制程转进则成为产出增加的主因,新增产出规划以三星及长江存储的脚步较为积极。i5Cesmc

三星西安二期第一阶段于2020年投产后,依照规划,第二阶段原定于2021年上半投入营运,并推动128层NAND作为主力制程,但受到建厂进度落后,三星近年来对NAND价格策略较为保守,第二阶段新增产能虽然未全速开出,但根据规划,未来西安二期的月产能可达13万~14万片;先前已投产的一期月产能12万片,将成为三星扩大市占及降低生产成本的关键。i5Cesmc

至于南韩平泽P2厂NAND新产能则从2021年下半量产,并将量产最新的176层NAND产品。根据估计,三星2021年投片量约增加7.5万片,2022年主要于平泽P2厂从2.5万增加至5万片,使得整体投片产能约将成长3.5万片。i5Cesmc

铠侠(Kioxia)原定2021年下半年进行IPO计划,但担忧市场价格看跌,二度拖延原定上市时程,由于资金尚未明确,铠侠拟定的扩产计划连带递延,受到2022年NAND市场尚未复苏,IPO时程可能将延迟至下半年推动。i5Cesmc

不过日前日本政府预计投入半导体行业6170亿日圆资金,铠侠K2可能将成为日本政府补助的对象,且K2厂房规模为现有K1厂的2倍,将成为铠侠与策略伙伴威腾(WD)最大规模的厂房,若能顺利取得银弹挹注,将急起直追赶上2023年启用生产的预定计划,快步追赶三星领先的市占差距。在制程规划上,铠侠预计2022~2023年投产将落在162层,200层以上计划尚未明朗。i5Cesmc

SK海力士(SKHynix)2021年在NAND整体投片产能维持平稳,但2021年底完成购并英特尔(Intel)NAND部门后,将进行第一阶段合并计划,新公司作为SSD研发及行销,短期内对NAND产业格局不至于带来显著变化。英特尔也预计在2023年将堆叠技术推动至196层,在2025年双方合并完毕后,未来产品重心将更专注企业级存储应用。i5Cesmc

美光(Micron)全球NAND市占率约10~11%,排名位居第五,2021~2022年产能仅有微幅增加,但技术制程已领先三星,率先量产的176层产品陆续获得客户导入,也是首创1α制程DRAM的厂商,不过美光目标并不在于提高市占率,更致力于提高在DRAM与NAND利润池(profit pool)占比。i5Cesmc

长江存储2018年发表Xtacking技术,随着量产推动而站稳脚步,虽然2020年产能有大幅成长,但2021年128层NAND良率提升尚未达到目标,引进新机台设备的进度也落于预期,但追上良率只在于时间长短的问题。i5Cesmc

长江存储预计单月产能10万片规模将可望于2022年上半达成,并将启用武汉二厂,市占率将随之大幅成长,不过长江存储2022年营运重心将在于产品优化,并积极切入中国一线品牌大厂供应链,从消费性电子产品拓展至PC OEM、手机等领域。i5Cesmc

整体来看,2022年各家NAND大厂投产虽然较为保守,但制程竞赛角力却是暗潮汹涌,虽然各家的主力制程落于96/128层,2022年产出重心将移转到176层,随着3D NAND堆叠层数提高的困难度增加,隐然形成两批纵队,技术领先厂商可望于2022年底~2023年推进200层以上,另一批则处于160~196层之间。i5Cesmc

至于200层以上堆叠竞赛,业界认为,将形成美光与三星技术对决的态势,虽然美光在176层3D NAND取得量产优势,但三星在176层后进入双叠代制程,未来在学习曲线改善后,将加快跨入200层以上的投产速度。由技术发展来看,3DNAND堆叠极限可发展至400层以上,但高堆叠层数品质不易控制,且制程投资金额将更为庞大。i5Cesmc

由此可知,在技术投资门槛拉高的竞争下,NAND产业三大巨头加一的格局已隐然成型。三星、SK海力士、美光三大厂掌握获利丰厚的DRAM业务,更能因应未来新世代技术竞赛的资金支援,持续扩大产业竞争差距,至于长江存储在具备Xtacking技术专利护身,及坐拥国内内需市场的得天独厚地位,2022年市占率将有望首度增长至5%。i5Cesmc

责编:Elaine
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