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首先,陈灵芝副总裁分享了关于半导体的应用市场趋势。目前来说,从物联网到万物互联,多个应用领域齐头并进,共同驱动半导体技术的发展,包括大型计算机组、智能机、个人手机、穿戴设备、智能终端等。这类高性能、多功能的的集成驱动封装技术的发展,从单芯片向多芯片集成。xpjesmc
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多芯片趋势的演进从1998年是SIP封装,然后发展到射频模组,到2018年左右是3D集成电路的封装,到了现在最主要的是异构集成封装技术,异构集成封装更多的是Chiplet集成技术。xpjesmc
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之所以现在发展到Chiplet技术,是因为并非所有芯片都需要用到先进的5nm技术,如果把SoC芯片根据需要切割成一颗颗小芯片,成熟制程芯片和先进制程芯片交错使用,可以充分地降低成本。此外,芯片越大良率越低,将大芯片切割为小芯片可以更好地提升良率。xpjesmc
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陈灵芝介绍,长电科技面向Chiplet异构集成应用推出XDFOI系列解决方案,在应用上以及涵盖移动与汽车应用、通信、计算与汽车、人工智能及医疗等应用。xpjesmc
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对于2D的异构集成,可以包括Chip-First和Chip-Last工艺;2.5D异构集成主要用在GPU、CPU的封装;3D封装则是大芯片和小芯片face-to-face的芯片堆叠。xpjesmc
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对于未来的封装技术预测,陈灵芝副总裁表示未来封装技术可能方向是硅光子封装方向。硅光子封装内集成可以改善延迟、提高带宽,同时可以显著降低对功率的需求,使TBps数量级的数据传输成为可能。目前硅光子封装类技术已经出现厂商开始尝试使用,如英特尔在高速光纤收发模组上采用硅光子封装集成。xpjesmc
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无论是2D或是2.5D封装,其目的都是为了解决芯片互联的问题。陈灵芝说道:“随着芯片密度越来越高,我们选择使用Bump技术解决互联问题。”xpjesmc
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不同Pitch下要求不同的Bump互联技术。在45微米间,由于Bump Pitch比较小,在焊接方面不会再使用回流焊工艺,而是会选用LAB和TCB的结构。当Pitch继续减小,甚至达到小于20微米时,如果继续采用该种方式,则很难形成有效的焊接。因此,目前长电研究较多的是Hybrid direct Bonding (HDB)。xpjesmc
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陈灵芝详细介绍了Hybriddirect Bonding(HDB)技术。HDB是指两个表面的分子间结合,当两个物体表面在室温下通过紧密的压合会产生范德华力,再通过高温退火工艺转换成共价键或金属键,从而形成有效结合。以三星为例,三星在对比2.5D与HDB技术中,使用HDB技术的Bond Gap可以减小67%,Bond Pitch可以减小85%,由此带来的好处是带宽提升了300%。xpjesmc
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陈灵芝还介绍了先进半导体成品制造技术对产业链的影响。先进芯片成品制造技术推动产业链的整体发展,包括新材料LCP、新工艺技术硅光子集成及新器件、新设备等不断出现。xpjesmc
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随着对于高频、高速传输性能的需求,正在催生新的半导体封装材料——LCP。LCP是一种液晶高分子材料,在高频、射频甚至微观上表现了非常优异的性能。在2018年左右,苹果推出的iPhone X上使用LCP软板,起到射频连接线的作用。xpjesmc
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相比传统的PI材料,LCP材料表现性能优异。陈灵芝展示了LCP与PI间的对比。从吸水率来看,吸水率LCP为0.04%,PI材料为2.9%,LCP材料具有更高的可靠性;介电常数、节点损耗因子表现都优于PI。因此LCP材料在当前的5G以及未来的无人机驾驶中将得到广泛应用。xpjesmc
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高精度细节距XDFOI技术对于光刻胶材料同样提出新需求。就先有的光刻胶来看,其在用使用中容易形成梯形桥接的问题。为了达到更细节距,长电科技开发了针对HDFO工艺开发的新型光刻胶,使用该化学增强型光刻胶的线路侧壁更为笔直,不容易形成桥接。xpjesmc
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同时,陈灵芝也表示硅光集成封装也在呼唤新的器件及技术的发展。xpjesmc
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