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DRAM现货库存积压,NAND Flash整体动能停滞

TF卡:市场价格呈现下滑趋势。

DRAM:现货供应商面临库存积压

在各种不利因素尚未纾解前,DRAM现货供应商仍面临库存积压问题,月底到货亦显著影响价格走势,工厂端补货态度普遍并不积极,即便议价空间扩大,此策略仍无法彰显任何效力,整体交易情况持续衰退。TBVesmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC一般报价下跌至USD3.55-3.60,CJR-XNC报价也同样落在USD3.55~3.60上下,CJR-VKC一般报价为USD3.55~3.60附近;Samsung WC-BCTD现货报价维持在USD4.00左右。TBVesmc

DDR4 512x8 2400部分,Samsung WE-BCRC报价同样在USD2.36,WF-BCTD价格则是落在USD2.5x左右;SK Hynix BJR-VKC一般报价小幅下跌至USD2.47。TBVesmc

DDR4 512x16 2666部分,SK Hynix CJR-VKC报价为USD3.9x左右;Samsung WC-BCTD跌幅较为明显,已下修至USD3.95~3.97。TBVesmc

DDR4 256x16部分,Samsung WE-BCRC价格跌至USD2.28,而WF-BCTD报价修正至USD1.91~1.95左右。TBVesmc

模组现货价格参考:TBVesmc

KST DDR4 4G 2666 $18.70TBVesmc

KST DDR4 8G 2666 $30.35TBVesmc

KST DDR4 16G 2666 $60.25TBVesmc

KST DDR4 8G 2666 超频 $31.35TBVesmc

KST DDR4 16G 2666 超频 $61.50TBVesmc

KST DDR4 8G 3200 $30.85TBVesmc

KST DDR4 16G 3200 $61.00TBVesmc

KST DDR4 8G 3200 超频 $32.50TBVesmc

KST DDR4 16G 3200 超频 $63.50TBVesmc

NAND Flash:市场整体动能停滞

NAND Flash市场整体动能停滞,买气萧条,多方因素造成供需双方态度保守观望,供应端资金链紧缩,纷纷主动释出低价以求套现,工厂端则因终端需求不甚明朗,并未积极备货,颗粒卖压逐渐浮现,除了Kioxia/Micron特定高容量规格,仍受SSD需求拉抬,询单表现相对稳定,但也仍持续受限于交期及价格偏高,双方交集有限,而其余颗粒价格表现皆不理想,呈现疲软滑落姿态。TBVesmc

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其中,Samsung SLC 2G/4G零星询单,买方购货意愿保守,且订单仍在确认当中,并未有实际议价动作,盘势微幅振荡。TBVesmc

SK Hynix SLC颗粒2G部分有询单释出,市场报价微幅上扬,但需求力道有限,无法带动整体颗粒买气,其余颗粒表现较不理想,价格随大盘波动。TBVesmc

Micron SLC颗粒报价大致持平,虽一度受大盘影响,微幅修正,但因现货供应量不足,价格随后趋向平稳,交易情况不甚明朗。TBVesmc

Kioxia SLC颗粒2G/4G需求表现相对积极,相对低价部位有些许成交,但其余颗粒则有到货卖压,价格表现涨跌互见。TBVesmc

TF卡:市场价格呈现下滑趋势

本周TF卡表现较为冷清,市场氛围持续低迷,整体需求不振,买家态度保守,问价动作皆有减少,报价也稍显被动,市场价格呈现下滑趋势,整体成交情况惨淡。TBVesmc

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责编:Momoz
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