公开资料显示，EUV制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV，蚀刻的各向异性明显改善，对于精确度要求较高的集成电路，EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。GSbesmc
简单而言，利用EUV设备生产DRAM，将极大的提高产能、良率，并降低成本。这也使得EUV的争夺愈加白热化。GSbesmc
基于EUV技术对DRAM技术节点的好处，三星、SK海力士和美光这三大DRAM厂商已先后进入了EUV DRAM市场。GSbesmc
三星率先引入了EUV。2020 年3月，三星率先使用极紫外（EUV)光刻技术，同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。GSbesmc
2021年11月，三星表示，其已经应用EUV技术开发了14nm 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM，专门用于5G、人工智能(AI)、机器学习(ML)和其他大数据终端应用等高速率应用。此外，该公司还发布了其首个支持新型计算快速链接(Compute ExpressLink,CXL) 互连标准的DRAM内存模块，并发布了专为自主电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的2GB GDDR6和2GB DDR4汽车DRAM。GSbesmc
今年2月，三星官方表示其基于极紫外（EUV）光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已完成了量产。业界消息显示，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤，其三星的P3工厂也将采用EUV工艺生产10nm DRAM。GSbesmc
SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月，SK海力士完成首个用于DRAM的EUV晶圆厂M16，正式引入了EUV光刻设备。2021年7月，SK海力士宣布量产了1a nm工艺的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM。GSbesmc
官方消息显示，与第三代1z nm内存芯片相比，1a技术在相同的晶圆面积下，生产的芯片数量可以增加25%。此外，202年SK海力士还发布了据称是业界性能最高的DDR5 DRAM，作为海力士的第三代高带宽内存，该芯片被称为HBM3。GSbesmc
美光GSbesmc
对比前两家的早早加码EUV，美光方面则稍晚一些。据外媒此前消息，美光计划从2024年开始，将EUV纳入DRAM开发路线图。美光在2021年推出了其1a nm内存节点DRAM，推出时该工艺依旧未使用EUV光刻技术，美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM 提高40%。
今年5月26日，美光表示，将在中国台湾中科新厂启用后导入最先进的极紫外光（EUV）设备或用来生产1a nm DRAM制程。这是否是制程升级给美光带来了新的压力，我们不得而知。但是可以确定的是，三大DRAM厂商EUV竞争已进一步升级。GSbesmc
责编：Elaine
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