报道称，三星负责测试和系统封装（TSP）的副总裁在韩国水原的一次研讨会上透露，随着未来内存本身性能的扩大，封装技术也需要不断发展。该公司证实，它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，将采用MSAP（改良半加成法）封装技术。J6Iesmc
根据三星的说法，MSAP已经被其竞争对手（SK海力士和美光）用于DDR5。J6Iesmc
那么，MSAP有什么新特点呢？J6Iesmc
据介绍，MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的，这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接，而且还将适应DDR6内存中增加的层数。J6Iesmc
三星预计，其DDR6设计将在2024年之前完成，但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言，DDR6内存将是现有DDR5内存的两倍，传输速度可达12800Mbps（JEDEC），超频后的速度可超过17000Mbps。J6Iesmc
目前，三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200Mbps，在JEDEC标准下提高了1.7倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。J6Iesmc
责编：Momoz
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