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主要SiC厂商前道工艺产线分布(附图)

作为推动能源变革的关键技术,Infineon、ON Semi等功率半导体巨头们已将SiC视为未来十年业务增长的强劲动能。然而,原材料与关键设备的紧缺持续干扰着全球SiC供应链的稳定,“扩产”将成为未来几年活跃于产业的关键词。

过去几年中,IDM厂商在12英寸晶圆厂上投资了数十亿美元,用于制造IGBT等硅基功率元件,这使得完全折旧的6/8英寸晶圆厂现在可用于支持SiC大规模生产。当然,IDM厂商需要额外添置一些SiC专用生产设备,这包括超高温CVD反应器、高温高能离子注入机、高温氧化炉、晶圆级测试设备等。HWResmc

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硅晶圆在90年代经历了从6英寸到8英寸的转变,随后在大约十年后转向12英寸晶圆。SiC正在经历着同样的事情,当前绝大多数SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圆上进行生产,而为了进一步降低成本并扩大SiC渗透率,Wolfspeed等一线厂商已目光投向8英寸。这十分困难,但不得不做,我们可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的实际量产时间已经被一再推迟,这同样关系到其近几个季度糟糕的财务状况。HWResmc

另外,中国的SiC前道工艺产线数量正在迅速增长,TrendForce统计已量产和规划产线约近20条,而须留意的关键产线约7条。其中,三安光电、泰科天润已具备非常成熟的二极管制造能力,而在MOSFET制程开发过程中却仍面临着诸多阻碍,特别是汽车级产品。HWResmc

责编:Elaine
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