晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管,并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V。dyPesmc
据“北京大学”介绍,这一研究实现了三方面技术革新:dyPesmc
首先,采用高载流子热速度(更小有效质量)的三层硒化铟作沟道,实现了目前场效应晶体管的最高值;dyPesmc
第二,解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题,制备出2.6纳米超薄双栅氧化铪,将器件跨导提升到6毫西·微米,超过所有二维器件一个数量级;dyPesmc
最后,开创了掺杂诱导二维相变技术,克服了二维器件领域金半接触的国际难题,将总电阻刷新至124欧姆·微米。dyPesmc
这项工作突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈,将n型二维半导体晶体管的性能首次推近理论极限,率先在实验上证明出二维器件性能和功耗上优于先进硅基技术,为推动二维半导体技术的发展注入了强有力的信心和活力。dyPesmc
责编:Elaine