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受市场传出三星减产消息影响,DRAM现货价出现止跌现象

DRAM:现货价格出现止跌现象;NAND Flash:市场报价小幅震荡;TF卡:市场价格变化较小。

DRAM:现货价格出现止跌现象

由于市场传出三星减产消息,部分现货商与模组厂暂停报价,造成近日DRAM现货价格有止跌现象,但受到当前库存量仍高影响,以及Kingston等大型模组厂并没有意向调涨报价,虽然短期的未来仍会有出现零星颗粒的涨幅,但整体回到价格上升趋势难度仍高。tg7esmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC市场报价在USD1.55左右;Samsung WC-BCWE价格落在USD1.55~1.57,WC-BCTD成交落在USD1.55~1.60附近。tg7esmc

DDR4 512x8 2400部分,Samsung WE-BCRC价格为USD1.06,WF-BCWE报价在USD1.02。tg7esmc

DDR4 512x16 2666/3200部分,SK Hynix DJR-XNC现货报价在USD1.54上下;Samsung DDR4 WC-BCWE价格为USD1.53~1.57附近,WC-BCTD价格成交落在USD1.52~1.54。tg7esmc

DDR4 256x16部分,Samsung WF-BCTD成交在USD0.97。tg7esmc

模组现货价格参考:tg7esmc

KST DDR4 8G 2666 $15.10tg7esmc

KST DDR4 16G 2666 $28.00tg7esmc

KST DDR4 32G 2666 $55.00tg7esmc

KST DDR4 8G 3200 $15.60tg7esmc

KST DDR4 16G 3200 $29.00tg7esmc

KST DDR4 32G 3200 $57.00tg7esmc

KST DDR5 16G 4800 $44.00(KVR标准品)tg7esmc

NAND Flash:市场报价小幅震荡

市场受三星减产消息影响,wafer及eMMC皆有些许询单释出,在相对低价部位亦有成交,但因相应成品需求仍不理想,且终端拉货动能仍是缓慢,工厂端备货力道相对有限;然而,部分现货贸易商及特定工厂出现跌深反弹,未来供货紧缩的预期心理,并针对手上现有订单略微增多备货数量,造成市场报价呈现小幅震荡,实际需求动能呈现断断续续,微量涨价力道亦无法拉抬整体盘势,仅大多维持平盘局面。tg7esmc

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其中,Samsung SLC颗粒需求略为增多,但大多为固定需求,备货完成后市场报价又趋向平缓,并未明显受到减产消息而增加备货量。tg7esmc

SK Hynix部分,受SLC颗粒跌深反弹及新闻消息影响,价格相对止跌回稳,但工厂端需求承接力道亦是有限,价格仍维持小幅震荡。tg7esmc

Micron部分,SLC 2G/4G仍是买方主要询单目标,目标价格小有提升,但双方议价空间有限,最终成交情况仍不明朗。tg7esmc

Kioxia方面,SLC 1G/2G在固定需求支撑下,现货库存量有限,但在4G部分则有些许工厂端库存调节释出,造成盘势呈现些许疲弱,亦未见买单承接。tg7esmc

TF卡:市场价格变化较小

本周TF卡表现一般,受消息面影响,市场问价动作断断续续,但多是探价动作,部分买家仍持观望态度,实际释出需求有限,市场价格变化较小,整体成交量依然有限。tg7esmc

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责编:Momoz
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