三星：首家在DRAM上应用EUVL的企业

EUVL和DRAMR2Besmc

随着DRAM继续微缩至接近10nm，极紫外光刻(EUVL)技术对提高图案精度变得越来越重要。三星通过应用五个EUVL层，将EUVL技术扩展到D1a DRAM工艺集成。R2Besmc

EUVL减少了多图案化过程中的重复步骤，提高了图案的准确性，从而增强了性能，提高了产量，缩短了开发时间。EUVL技术对于更小、更快、更高效的DRAM设备来说必不可少。R2Besmc

EUVL最早用于三星D1x技术节点的test vehicle产品的DRAM应用。R2Besmc

三星电子于2020年3月在D1z DDR5 DRAM上采用了1个EUVL掩模，SK海力士也在D1a上采用了EUVL掩模。如今，三星是第一个在DRAM D1a上应用五个EUVL掩模的公司，并在DRAM生产中采用EUV光刻技术的第三代DRAM器件，也是第一个在DRAM上完全采用EUVL的技术节点的企业。  R2Besmc

三星D1a LPDDR5X DRAM – 初步观察R2Besmc

Techhinsights首次在三星Galaxy S23 Ultra智能手机(12GB内存)和三星Galaxy S23 Plus智能手机(16GB内存)上发现了三星D1a LPDDR5X DRAM器件。R2Besmc

据三星称，LPDDR5X DRAM的速度是业界最快的，达到每秒8.5千兆位(Gbps)，能效提高了20%。R2Besmc

LPDDR5X与LPDDR5的比较R2Besmc

在之前的D1z DRAM产品中，为了提高生产效率，三星只采用了一个EUVL掩模，例如在核心外围上使用SNLP/位线垫(BLP)。现在，三星已经将D1a DRAM产品的EUVL层扩展到五层，不仅包括SNLP/BLP，还包括有源微调、DC(单元阵列上的位线接触)和存储节点pillar图案化电容。R2Besmc

以前的EUVL替代方案，即自对准双重成像技术(SADP)或光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)，具有不均匀的图案或需要两步曝光。值得注意的是，使用SADP很难产生具有各向异性图案间距的接触阵列。在D1a中，三星将EUVL应用于所有关键工艺步骤。R2Besmc

通过在D1a DRAM上应用五个EUVL层，三星实现了最高的比特密度：0.341 Gb/ mm2  (16Gb LPDDR5X K4L6E165YC)。[美光（0.307 Gb/mm2, D1α 16Gb LPDDR5X Y42M）；SK海力士 (0.316 Gb/mm2, D1a 16Gb LPDDR5X MDHD5821005)]。R2Besmc

金属1/SNLP层D1a芯片DRAM阵列的扫描电子显微镜(SEM)平面视图。读出放大器的金属1线和DRAM阵列的字线驱动（wordline drive）区以及圆形SNLP的轮廓清晰地表明EUVL用于对BLP和SNLP进行图案化。R2Besmc

还有谁在研究DRAM的EUVL?R2Besmc

对于DRAM上的EUVL，每个主要的DRAM市场玩家都有自己的策略、基础设施和行动计划。三星与他们的系统逻辑制程厂一起，一直在稳步投资扩大DRAM上的EUVL应用。SK海力士最近在D1a DRAM上采用了EUVL技术，并计划在下一代DRAM上继续使用EUVL技术。美光可能推迟采用EUVL用于D1γ。R2Besmc

我们将在哪里看到这项技术的应用?R2Besmc

EUVL DRAM的主要市场包括Graphics DRAM、DDR、LPDRAM(移动DRAM)、高带宽存储器(HBM)等。R2Besmc

TechInsights的订阅用户可以点击“阅读全文”访问TechInsights的 Advanced Memory Essentials频道发布的AME-2102-801，进一步了解我们对三星D1z 12 Gb LPDDR5 K4L2E165YC芯片的全面研究结果。 R2Besmc