如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响,使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。 A5tesmc
针对这一问题,中科院微电子所刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法,并在128kb 1T1C FeRAM阵列上进行了验证,证明了在该方法操作下铁电阵列可实现高温下的高可靠性操作。A5tesmc
该研究发现在铁电阵列操作中,传统的阵列操作方法在高温下会造成误读。研究人员通过材料表征和电学测量等手段,系统研究了剩余极化在高温下降低的机理。A5tesmc
研究发现,电子去俘获引起的内建电场的增加是导致剩余极化值降低的主要原因。根据该机理,研究人员建立了考虑温度效应的动态蒙特卡洛模型,并通过仿真给出了减轻温度影响的操作电压。 A5tesmc
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