三星于2022年11月7日宣布了236层TLC量产里程碑。iVjesmc
SK海力士在2023年6月8日宣布了238层TLC量产里程碑。iVjesmc
Solidigm 192层QLC部署在D5-P5430数据中心SSD中。192-L 1.33 Tb QLC芯片的位密度为18.9Gb/mm2。在ISSCC 2023中提到，192-L 1.33 Tb QLC芯片比特密度为18.6Gb/mm2，基于73.3mm2的芯片尺寸。iVjesmc
铠侠/西数硬盘(WD) 218层TLC /QLC(BiCS8)于2023年3月30日发布。混合键合，称为“CMOS直接键合到阵列”(CBA)将被使用。在VLSI 2023 C2-1中，对于21x-Layer 1 Tb TLC芯片，比特密度超过17Gb/mm2。在VLSI 2023 T7-1中，金属诱导横向结晶(MILC)用于实现超过14µm (320 WL)的完全单晶通道。BG6 (162-L, BiCS6) 1TB和2TB固态硬盘已于2023年5月23日发布。iVjesmc
美光陆续推出更多具有232层TLC的产品。UFS 4.0目前正在认证中。232层TLC AME目前已完成。观察结果包括采用四个子块而不是两个子块，去除细胞膜的横向ONO，并确认垂直通道(VC)着陆塞。iVjesmc
长江存储128层QLC MFR已完成。12Gb/mm2的比特密度高于三星、SK海力士、美光等176层TLC产品的比特密度(10~11gb/mm2)。长江存储232层TLC比特密度为15Gb/mm2。iVjesmc
TEL在VLSI 2023 T3-2中展示了新的存储孔刻蚀化学冷冻工艺(刻蚀速率为504nm/min)，可在32.8分钟内刻蚀10µm的模具SiO/SiN。iVjesmc
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图1#：比特密度与AWL（active word line）的关系。绘制的数据来自TechInsights平台iVjesmc
#SOLIDIGM应被解释为英特尔-美光闪存联盟，适用于96-L TLC/QLC。英特尔NAND & SSD业务现在被称为Solidigm(SK海力士在美国的独立子公司)。iVjesmc
责编：Momoz
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