8月初媒体报道三星正积极投入产品研发,预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层,第十代3D NAND将跳过300层区间达430层,预计将于2025~2026年推出。qOjesmc
随后又有报道透露三星并未跳过300层数,该公司计划2024年量产堆叠300层以上、第九代3D NAND,预计采用双次堆叠技术。据悉,双次堆叠技术是分两次制造NAND,然后将其组合在一起。三星从第七代176层3D NAND开始采用双次堆叠技术。qOjesmc
目前,三星尚未明确透露300层NAND Flash堆叠技术信息。不过,该公司持续发力NAND Flash堆叠技术,今年7月三星存储业务高管就对外表示,2030年三星V-NAND可以叠加到1000多层。qOjesmc
其他厂商方面,美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品,铠侠和西部数据也正在研发300层以上的3D NAND产品。qOjesmc
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