中芯国际“晶圆清洗方法”专利获授权-国际电子商情

近日，据国家知识产权局官网消息，中芯国际专利名称为“晶圆的清洗方法”的法律状态为已获授权，公开号为CN111584340B。

yp3esmc

专利指出，目前在半导体器件的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨(CMP)工艺平整凸凹不平的表面。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨工艺中，一般是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，使用含有抛光颗粒(例如SiO2颗粒)的研磨液(slurry)，在化学腐蚀与磨削移除的交互作用下进行平坦化。在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。鉴于此，实有必要提出一种晶圆的清洗方法，以提升清洗效果，从而提高产品的良率。yp3esmc

yp3esmc

专利摘要显示，一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性；对所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相斥的原理，经过调节后所述残留物与所述晶圆表面电性相同，因此所述残留物不会粘附在所述晶圆的表面，而是悬浮在晶圆表面的液膜内。在后续的干燥过程中，悬浮在液膜内的残留物会随着液膜一起被去除，提高了产品良率。yp3esmc

责编：Elaine

文章来源及版权属于全球半导体观察，国际电子商情仅作转载分享，对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如有疑问，请联系Elaine.lin@aspencore.com

阅读全文，请先

全球半导体观察

专注于半导体晶圆代工、IC设计、IC封测、DRAM、NAND Flash、SSD、移动装置、PC相关零组件等产业，致力于提供半导体产业资讯、行情报价、市场趋势、产业数据、研究报告等。

进入专栏

微信扫一扫，一键转发
关注“国际电子商情” 微信公众号

中芯国际“晶圆清洗方法”专利获授权

杂志声明