公司2023财年第三季度结合并收入为9.0662万亿韩元，营业亏损为1.7920万亿韩元，净亏损为2.1847万亿韩元。2023财年第三季度营业亏损率为20%，净亏损率为24%。1V3esmc
■ 2023财年第三季度财务报表1V3esmc
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* 本报告根据K-IFRS（韩国会计准则）编制1V3esmc
* 本报告内容尚未通过外部审计人的会计审查，在会计审查过程中可能会发生变化1V3esmc
SK海力士解释道：1V3esmc
因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。1V3esmc
公司还强调：“今年第一季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈，其具有重要意义。”1V3esmc
针对营业收入的增加趋势，SK海力士分析道：1V3esmc
“DRAM和NAND闪存的整体销量增长的同时，DRAM的平均售价（ASP，Average Selling Price）的上升也产生了较大影响。”1V3esmc
从产品来看，DRAM得益于AI等高性能面向服务器的产品销售好转，与第二季度相比出货量增长了约20%，与此同时ASP也上升了约10%。NAND闪存在高容量移动端产品和固态硬盘（SSD，Solid State Drive）的出货量有所增加。1V3esmc
公司预测：1V3esmc
扭亏为盈的DRAM得以生成型AI热潮影响，市况有望持续好转。连续亏损的NAND也随着市况好转迹象的逐渐呈现，公司将竭尽全力保持整体业绩的改善趋势。1V3esmc
今年下半年，在各存储器供应商的减产效果可视化的情况下，库存减少的客户正在创造半导体存储器采购需求，产品价格也进入了稳定趋势。1V3esmc
顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV*技术的投资。1V3esmc
SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示：“公司引领着高性能存储器市场，定位成为未来AI基础设施的核心公司。今后将通过HBM、DDR5 DRAM等公司占据全球领先地位的产品，创造出与以往不同的新市场，持续加强高性能、高端半导体存储器第一大供应商的地位。”1V3esmc
*TSV(Through Silicon Via，硅通孔技术）：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装（Advanced Packaging）技术。1V3esmc
责编：Elaine
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