《发展办法》提出,鼓励发展大硅片、光掩膜、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材、光芯片等高端半导体制造材料,支持清洗设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入、沉积设备、封装设备(划片机、减薄机、引线键合机、倒装键合机及贴片机等)、检测设备(测试机、探针台等)以及单晶生长炉、外延生长炉等设备、关键零部件及工具国产化替代。RmPesmc
资金扶持方面,《发展办法》指出,对当年产值首次达到2000万元、5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元的集成电路装备、材料、零部件类企业,经认定,分别给予20万元、50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的扶持,同一企业按差额补足方式最高扶持500万元。RmPesmc
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