季增24.8%，全球DRAM厂自有品牌内存最新营收排名出炉

价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。GOFesmc

观察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM（高带宽内存）供不应求、推动DRAM买方转为积极采购，第二季合约价最终调涨13%至18%。GOFesmc

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TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季Samsung受惠于平均销售单价季增17%至19%，位元出货量也小幅增加，带动DRAM营收成长至98.2亿美元，季增22%，市场份额维持第一；SK hynix则因其HBM3e（第五代高带宽内存）产品通过认证并实现量产，带动位元出货季增超过20%，营收大幅增加至79.1亿美元，季增幅高达38.7%；Micron第二季的营收较上季增加14.1%，为45亿美元，虽然售价微幅下降，但位元出货量季增达15%至16%，不过由于Micron第二季积极去化低价的1beta nm DDR5次品库存，其整体表现落后两大竞争对手。GOFesmc

在各厂盈利部分，由于DRAM合约价上涨，原厂产能利用率已恢复满载、认列库存跌价损失回转，以及DDR5、HBM等高价产品出货比重提升，各原厂第二季持续保持盈利。其中，Samsung营益率自上季的22%增加至37%，SK hynix从33%增至45%，Micron则因为HBM产品贡献度较低，营业利润率仅从6.9%回升至13.1%。GOFesmc

观察其他厂商第二季表现，南亚科在Consumer DRAM的终端销售动能放缓，出货量小幅下降，但因平均单价上扬，营业利润率从-30.7%改善至-23.4%。华邦电因小幅调涨高容量产品合约价，平均销售价格成长24%至26%，加上高单价的低容量产品出货比例高，推动营收季增3.7%，达1.68亿美元。力积电若只计算其生产的Consumer DRAM营收，第二季则季减约13.5%，但若加计代工营收则季增2.2%，则反映出代工客户积极储备库存。GOFesmc

第三季DRAM合约价上调，反映国际形势变化GOFesmc

TrendForce集邦咨询表示，多数DRAM原厂在2024年7月下旬和PC （个人电脑）OEMs（原始设备制造商）及CSPs（云端服务业者）商定第三季合约价，结果显示涨幅皆高于预期。TrendForce集邦咨询据此上调Conventional DRAM第三季合约价涨幅为8%至13%，较原预估值提高约5个百分点。GOFesmc

TrendForce集邦咨询指出，自第二季开始，中国CSPs积极备货，采购规模较去年同期翻倍，促使DRAM原厂提价。这种情况也让其他业者不得不上调采购价。而Server（服务器） DRAM价格涨幅上调，同样有利于推动PC DRAM合约价的商谈气氛。GOFesmc

此外，为赶在HBM3e产品通过验证后及时出货，Samsung先已在工厂投片生产HBM3e晶圆，此举将影响2024年下半年1alpha nm制程的DDR5排产。各原厂近期逐步完成2025年度的产能规划，其中HBM生产比重较高的SK hynix及Samsung都将出现HBM3e影响DDR5的情况，预期未来几季DRAM价格将难以回落。GOFesmc