中国第三代半导体厂商扎堆“出海”

近年来，在巨大的市场商机以及复杂的国际形势下，半导体产业竞争日趋激烈，为进一步在国际上掌握话语权，中国许多半导体公司都开始向海外市场扩张，而在港上市便是重要途径之一。keHesmc

继12月23日天域半导体在港交所主板IPO申请获受理后，国内另外两家三代半厂商英诺赛科和天岳先进也向港股发起冲击，其中英诺赛科更是已抢先在香港联合交易所（以下简称“香港联交所”）上市。keHesmc

英诺赛科港股敲钟keHesmc

2024年12月30日，氮化镓功率半导体厂商英诺赛科正式在香港联交所主板挂牌上市。keHesmc

本次英诺赛科向全球发售4536.4万股H股，每股发行价为30.86港元，募集资金近14亿港元，募集资金金额13.02亿港元。根据规划，英诺赛科募集资金将主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、研发及扩大产品组合、扩大氮化镓产品的全球分销网络等。keHesmc

据英诺赛科最终发售价及配发结果公告显示，此次该公司还引入了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认购了1亿美元的发售股份。keHesmc

资料显示，英诺赛科成立于2017年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路及氮化镓模组等，可广泛应用于消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等领域。keHesmc

据悉，英诺赛科不仅在珠海建成了中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，同时，其于2021年10月投产的苏州工厂更是全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。keHesmc

据英诺赛科披露，2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年Q3，英诺赛科氮化镓出货量成功突破10亿颗！keHesmc

天岳科技拟赴港上市 冲刺A+HkeHesmc

12月27日，碳化硅衬底厂商天岳先进发布公告称，根据公司总体发展战略及运营需要，公司拟在境外发行股份（H 股）并在香港联交所上市。keHesmc

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对于此次赴港上市的原因，天岳先进在公告中提到，主要为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力。keHesmc

不过，天岳先进同时指出，本次H股上市需提交公司董事会和股东大会审议，并需取得中国证券监督管理委员会、香港联交所和香港证券及期货事务监察委员会等相关政府机构、监管机构备案或审核批准；本次H股上市能否通过审议、备案和审核批准程序并最终实施具有较大不确定性。keHesmc

资料显示，天岳先进是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型企业，主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。keHesmc

目前，天岳先进在山东济南、济宁均设有工厂，其中济南、济宁工厂是其碳化硅半导体材料生产基地，上海临港智慧工厂则是其导电型碳化硅衬底主要生产基地。目前，天岳先进已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应。其导电型碳化硅衬底产品已经获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。keHesmc

天岳先进在近期的投资者调研活动中亦表示，公司实现8英寸碳化硅衬底本土化替代的同时，公司8英寸碳化硅衬底已率先实现海外客户批量销售。其在半年报中透露，全球前十大功率半导体企业超过50%已成为公司客户。keHesmc

三代半厂商加速“出海”keHesmc

近年来，在消费电子需求带动下，加上新能源汽车、数据中心、光伏、风电、工业控制等产业的兴起，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体厂商发展迅速。keHesmc

据全球市场研究机构TrenForce集邦咨询此前公布的数据显示，2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR高达49%，而SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，并预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。keHesmc

在巨大的市场机遇以及国家政策扶持下，中国半导体厂商发展已进入快车道，并且已初步登上国际市场的舞台。keHesmc

此次天岳先进、英诺赛科、天域半导体均向港股递交“申请书”，意味着各大厂商有望加速全球扩张计划、技术研发和产能扩充，同时进一步帮助企业走向国际化、拓宽融资渠道，提升市场竞争力。keHesmc