纵向集成、横向架构扩展，西部数据以丰富产品组合迎接数字未来

在过去一年里，由于受地缘冲突、通货膨胀、经济下行等因素的影响，“库存调整”成为了存储供应链共同面对的难题。在波谲云诡的市场变化之下，存储企业依然积极应对市场的挑战，同时也在持续更新存储技术和产品。9Utesmc

到2023年第一季度，全球存储产业的发展有了一些新动态：9Utesmc

• 在存储密度方面，随着3D NAND闪存层数堆叠，3D NAND已经突破200层，存储密度比176层提升了40%以上。与此同时，市面上也出现了更多QLC NAND产品，厂商也开始在规划PLC NAND。
• 在连接架构方面，新发布的CXL 3.0标准将数据中心内存系统的带宽提高一倍，有望突破内存密度和带宽瓶颈的限制，目前CXL联盟成员数已经超过160个，参与者包括CPU、内存、IP、加速器等厂商。另外，打造芯片内部架构的UCIe联盟也在发展，未来CXL和UCIe有望通过Chiplet的方式互联。
• 在市场应用方面，数据中心、汽车存储需求的激增，企业级存储和车规级存储有了更大的市场空间，随之产生的数据安全需求及低功耗等趋势，也决定着存储器件的未来发展方向，存储将持续往大容量、低功耗、高密度、高性能方向发展。

在全球数据基础架构提供者西部数据看来，人类在未来五年内创建的数据，将超过以往总数据量的2倍。其中，无论是个人移动设备、智能穿戴设备的增长，还是人工智能(AI)、自动驾驶、5G等趋势的普及，都意味着存储密集型应用会不断增多。同时，传统产业和中小企业的数字化转型，对数据中心IT存储架构的容量、性能、TCO(总拥有成本)和能耗提出了更多要求。9Utesmc

而西部数据的业务布局，正好顺应存储市场的趋势。无论是针对3D NAND闪存技术的研发，企业级固态硬盘的纵向集成，还是针对NAND、SSD、HDD和平台的垂直整合，这些举措都在顺应存储市场的发展。9Utesmc

不断提升存储密度

在前文中我们也有谈到，当前业内存储厂商提升存储容量，主要通过堆叠3D NAND的层数和提升闪存Cell单元比特(bit)位元，来实现存储密度的增加和成本的进一步降低。目前, 3D NAND已经进化到了第六代。2021年，西部数据与合作伙伴铠侠共同研发了第六代162层3D NAND闪存技术。与上一代产品相比，第六代3D闪存降低了单位成本，并让每个晶圆的制造位增加了70%。西部数据曾强调，NAND的先进程度不是层数的堆叠竞赛，每一层的效率也是影响闪存密度的关键。西部数据的第六代闪存除了层数的堆叠，也将横向密度提高了约10%，使晶圆尺寸减小约40%，提高性能的同时极大地降低了成本。9Utesmc

2022年全球存储市场遭遇了下行，存储现货价格严重下跌，原厂和渠道商出现了库存积压。在这一年里，存储大厂减缓了产品迭代的速度，把重心调整到去库存上，到今年Q1存储行业的下行趋势仍未触底。所幸的是，在近日的2023 CFMS闪存峰会上，中国闪存市场和国内外存储原厂均表示，预计存储行业的这轮下行期在今年Q2或Q3出现拐点。9Utesmc

除了在堆叠层数上发力之外，西部数据还在闪存Cell单元bit位元方面做创新。在2018年市场上开始出现QLC NAND产品，到2019年包括西部数据在内的存储厂商跟进，相继量产90+层TLC 3D NAND，并纷纷推出90+层QLC产品。到2023年，新一代3D NAND技术推出之后，在后续的量产中更新TLC和QLC版本的产品已成产业共识。9Utesmc

当然，消费者在购买存储产品时，不仅会关注存储容量，也会关注寿命和运行速度。QLC虽然容量大、成本低，但寿命和缓外写入速度不如TLC、SLC。比如，QLC的单位成本虽然有下降、存储密度有提升，但产品的读写性能却也会下降，这也导致QLC产品在人工智能、深度学习等领域的应用面临限制。存储厂家为了解决这些问题，一般会通过添加SLC 缓存、虚拟缓存、DRAM缓存来提升QLC的缓外写入速度。9Utesmc

日益丰富的产品组合

随着固态硬盘性能和容量的不断提升，固态硬盘在消费类应用中的表现突出。虽然全球消费电子市场正在疲软期，消费类存储产能也出现了过剩。但从长远来看，消费类SSD的市场潜力巨大。从2023年到2026年，消费类SSD复合年增长率将超过45%；预计到2026年，消费类存储产品市场份额中，约有7成是SSD。9Utesmc

西部数据的业务板块包括闪存和HDD，拥有西部数据(Western Digital)、闪迪(SanDisk)、西数(WD)、闪迪大师(SanDisk Professional)和WD_BLACK在内的多个品牌，能够提供从云数据中心、智慧视频、汽车、手机移动端、IoT到消费者个人PC等领域丰富的产品组合。9Utesmc

·个人PC和游戏主机

西部数据的WD_BLACK、WD Blue和WD Green等系列的内置SSD，可满足个人PC或游戏主机设备扩容的需求。9Utesmc

WD_BLACK SN850X NVMe SSD是WD_BLACK系列的旗舰产品，它搭载了西部数据自研主控及PCle Gen4技术，可提供7,300 MB/s的顺序读取速度和6,600MB/s的顺序写入速度(2TB和4TB容量版本)，随机读取和写入IOPS达1,200K(2TB和4TB容量版本)和1,100K，并提供从1TB至4TB多个容量版本。9Utesmc

9Utesmc

WD_BLACK SN770 NVMe SSD搭载了西部数据第四代DRAM-less SSD(自研主控和NAND闪存颗粒)，采用了PCIe Gen4接口，可提供高达5,150MB/s的读取速度(1TB和2TB容量版本)和4,900MB/s的写入速度(1TB容量版本)。9Utesmc

9Utesmc

·手机和移动设备

西部数据的UFS 3.1 iNAND MC EU551针对手机和移动设备存储应用，该产品采用基于西部数据第七代Smart SLC的Write Booster技术，满足JEDEC UFS 3.1规范要求，支持Host Performance Booster 2.0版本，还进一步融合了JEDEC标准的全新进展；性能方面，与上一代产品相比，其随机读取性能提升了一倍，随机写入性能提升约40%，顺序写入性能提升约90%，顺序读取性能提升约30%；在容量方面，提供从128GB至512GB等多个规格，工作温度范围为-25℃到85℃。9Utesmc

9Utesmc

<西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件>9Utesmc

·自动驾驶汽车和智能网联汽车

iNAND AT EM132嵌入式闪存盘和iNAND AT EU312 UFS嵌入式闪存盘针对自动驾驶汽车和智能网联汽车存储应用。9Utesmc

iNAND AT EM132是首款应用在汽车领域、采用64层3D NAND TLC技术的存储设备，其工作温度区间为-40°C-105°C，容量选择在32GB-256GB之间。该产品还囊括专为密集型汽车工作负载而设计的丰富汽车功能，包括先进的运行状况监控、热管理、数据保存性超过JEDEC标准、采用先进的数据保护和纠错技术等等。9Utesmc

9Utesmc

< 西部数据 iNAND AT EM132 嵌入式闪存盘 >9Utesmc

iNAND AT EU312 UFS嵌入式闪存盘采用UFS 2.1接口，为汽车OEM厂商和Tier 1提供存储容量、性能和可靠性存储，比之前基于e.MMC产品有更强的性能。该闪存盘可提供16GB至256GB的容量选择，并拥有550/800MB/s的写入/读取速度，其具备先进的内存管理固件和硬件，符合JEDEC47, ISO26262和AEC-Q100二级三级标准。9Utesmc

9Utesmc

< 西部数据iNAND AT EU312 UFS 嵌入式闪存盘 >9Utesmc

·工业自动化与物联网

工业自动化与物联网使用的存储产品，主要有嵌入式和可插拔式两种形式。常见的可插拔式的存储产品有PCle协议SSD、SATA协议SSD，以及SD存储卡和Micro SD存储卡等类型，嵌入式存储产品主要有e.MMC和UFS两种类型。9Utesmc

iNAND IX EM132嵌入式闪存盘是专为工业及物联网设备设计的3D NAND e.MMC，它搭载了西部数据64层3D NAND闪存。该产品有两种版本的宽温范围，分别是-25℃至+ 85℃及-40°C至85℃，可为基于高级操作系统、传感器融合和机器学习技术的工业和消费应用提供更高的容量选择。9Utesmc

9Utesmc

< 西部数据iNAND IX EM132嵌入式闪存盘 >9Utesmc

iNAND IX EU312 UFS EFD基于3D NAND闪存，将UFS的高性能及工业级的高耐久性和大容量，用于终端摄像头和智慧视频应用，支持A1视频摄像机和边缘设备的高频读写使用，设备支持最高可达768TBW (256GB版本)，耐久性强大，可满足密集的读写要求。9Utesmc

9Utesmc

< 西部数据iNAND IX EU312 UFS EFD>9Utesmc

·数据中心

Ultrastar DC SN650 NVMe SSD是西部数据2022年针对企业级数据中心推出的SSD。它可提供最高达15.36TB的容量，采用BiCS 5 3D TLC NAND和PCle 4.0接口，通过增加单位SSD的虚拟化主机数量，以及整合更大的数据集来提高存储资源利用率，该产品可用于大数据分析和AI/ML的数据集，还可通过采用Ultrastar DC SN650 NVMe SSD来缩短时延并提高数据吞吐量。9Utesmc

9Utesmc

<西部数据Ultrastar DC SN650 NVMe SSD>9Utesmc

9Utesmc

西部数据公司副总裁兼中国区总经理 蔡耀祥9Utesmc

西部数据公司副总裁兼中国区总经理蔡耀祥表示：“在人工智能、自动驾驶、云计算、5G和物联网等新型技术的推动下，海量的数据，复杂的用例和IT架构对NAND闪存技术的创新及应用提出了更高的要求。作为全球数据基础架构的提供者，西部数据在NAND闪存领域拥有领先的产能优势，核心的创新技术和强大的纵向集成能力。同时，基于对市场的敏锐洞察和用户诉求的深刻理解，我们提供覆盖云数据中心、汽车、IoT到消费者个人PC、手机移动端等各领域的闪存产品和解决方案，满足用户的多样化存储需求。此外，西部数据在上海拥有自己的半导体工厂和解决方案赋能中心，可以更好地支持本土客户。西部数据长期投入中国市场，我们也计划不断深化与行业伙伴的交流合作，积极探索未来的发展道路，携手共创数字时代的辉煌。”9Utesmc

聚焦行业标准趋势

除了产品组合之外，我们还看到行业标准有趋于统一的趋势。9Utesmc

2021年11月，CXL合并Gen-Z，将其所有规范和资产转移给CXL，并且双方联盟成员日后将专注于CXL这唯一标准。其实，西部数据是Gen-Z联盟的参与者。合并后的CXL联盟更加壮大，不仅包括内存厂商、IP厂商、加速器厂商等，还包括CPU厂商。9Utesmc

如果说CXL打造的是CPU和外部的连接架构，UCIe则可打造芯片内部的架构。现在行业内已经有一些厂商在推CXL+UCIe的概念。根据设想，通过Chiplet(芯粒)之间的互连接口标准，打造一个开放性的Chiplet生态系统，CXL+UCIe可组合成计算+互联的芯片，同时CXL可以更换，更换IP非常便捷，从而可快速更换应用场景。9Utesmc

西部数据作为行业生态中的一员，相信在未来的产品规划上也会考虑行业的各种趋势，以持续的技术和存储产品创新赋能行业生态的可持续发展，迎接数字时代的到来。9Utesmc