台积电2022年出货增7.7%，计划2025年进入2nm量产

尽管半导体行业从 2022 年底开始放缓，但台积电的晶圆出货量仍实现增长。该公司去年出货了 1530 万片 12 英寸等效晶圆，年增长率为 7.7%。此外，代表先进芯片制造技术（7 纳米以下）的晶圆比例占总组合的 53%，而 2021 年占总晶圆出货量的 50%。hynesmc

总体而言，台积电的出货量占全球所有非内存半导体产品的近三分之一，即30%，其份额增加了4%。hynesmc

转向 2 纳米或 N2，台积电表示计划明年进入该技术的风险生产，并在 2025 年转向量产。最初将在台湾的新竹和台南市生产。hynesmc

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深入研究 N2 的性能，台积电表示，新芯片将在类似于 N3E 工艺的功率水平下提供高达 15% 的性能提升。N3E 是台积电 3 纳米节点的高级变体，该公司计划在今年下半年开始量产该技术。以与 N3E 相似的速度，N2 将提供高达 30% 的功耗改进 - 这一指标无疑将吸引台积电最大的 Apple MacBook 系列处理器客户。hynesmc

2nm的竞争格局

台积电表示，N2 将使用纳米片晶体管，最初将在台湾的新竹和台南市生产。hynesmc

台积电的竞争对手三星代工厂认为，向纳米片的转变将给该公司带来重大的技术限制，这可能会限制其成功提高产量的能力。hynesmc

5月4日在KAIST（韩国科学技术院），三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说，三星的 4nm 技术比台积电落后大约两年，而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。hynesmc

不过他补充认为，由于三星已经开始使用 GAAFET（或纳米片）制造芯片，他的该公司比台积电有优势，可以使其在五年内赶上TSMC。hynesmc

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在3nm制程仍使用FinFET技术，要到2nm才会采用GAA技术，三星则是在3纳米就已经使用GAA技术，但整体良率（合格率）不如台积电，因此无法顺利弯道超车。hynesmc