中国贸促会、中国国际商会呼唤日方纠正错误做法

据中国国际贸易促进委员会官网，中国贸促会5月30日上午举办例行新闻发布会。h52esmc

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图自中国贸促会h52esmc

当被问及日本政府正式提出半导体制造设备出口管制措施一事，新闻发言人王琳洁应询表示，我们注意到日本政府正式出台半导体制造设备出口管制措施，这是对出口管制措施的滥用，严重背离国际经贸规则。中国贸促会、中国国际商会对此表示坚决反对。h52esmc

此前，中国贸促会、中国国际商会密切关注日方拟修订的半导体设备出口管制相关制度，日方正式出台的措施没有审慎考虑此前中日双方各界普遍表达的对未来不确定性的担忧，拟列管的半导体领域涉及物项广泛，技术参数设置不合理，许可要求过于严格，这些措施将对中日在半导体领域经贸合作和科技交流产生重大不利影响，冲击半导体产业链供应链的安全稳定，严重损害中日两国企业利益。h52esmc

王琳洁说，中国贸促会、中国国际商会呼吁日方纠正错误做法，并提倡加强中日双方在半导体行业正常合作和发展，推动两国半导体产业合作共赢，切实维护全球半导体产业链供应链的安全稳定。h52esmc

日本政府正式提出半导体制造设备出口管制措施

国际电子商情上周也对此事有跟进报道（日本：7月23日起将限制尖端半导体制造设备出口）。h52esmc

5月23日，日本经济产业省公布了外汇法法令修正案，将先进芯片制造设备等23个品类追加列入出口管理的管制对象，上述修正案在经过2个月的公告期后，将在7月23日实行。h52esmc

该计划涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储元件的蚀刻设备等。就计算用逻辑半导体的性能而言，它是制造电路线宽10至14纳米或更小的尖端产品的必备设备。h52esmc

具体来看，日本政府新增的半导体方向出口管控对象明细：h52esmc

• 清洗设备：半导体前段工艺除去表面异物的清洗设备；
• 成膜设备：利用等离子旋转晶圆，形成原子级别膜的设备，利用EUV光掩膜的成膜设备，准确形成硅膜、硅化合物膜的设备；
• 热处理：通过热处理，除去薄膜内空隙的设备；
• 曝光：EUV涂覆、显影设备，防护板(EUV光掩膜方向)生产设备，ArF液浸式曝光设备；
• 蚀刻：具有立体结构的最尖端的蚀刻设备；
• 检查：EUV光掩膜检测设备。

中方回应

5月23日，商务部新闻发言人就此事答记者提问时表示，日本政府正式出台针对23种半导体制造设备的出口管制措施，这是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。h52esmc

在日方措施公开征求意见期间，中国产业界纷纷向日本政府提交评论意见，多家行业协会公开发表声明反对日方举措，一些日本行业团体和企业也以各种方式表达了对未来不确定性的担忧。但令人遗憾的是，日方公布的措施未回应业界合理诉求，将严重损害中日两国企业利益，严重损害中日经贸合作关系，破坏全球半导体产业格局，冲击产业链供应链安全和稳定。h52esmc

日方应从维护国际经贸规则及中日经贸合作出发，立即纠正错误做法，避免有关举措阻碍两国半导体行业正常合作和发展，切实维护全球半导体产业链供应链稳定。中方将保留采取措施的权利，坚决维护自身合法权益。h52esmc