铠侠和西部数据在日两合资工厂已获1500亿日元的政府补贴

2月6日，铠侠和西部数据联合宣布，双方位于四日市和北上市工厂的合资制造工厂已获批准获得高达 1500 亿日元的补贴 ，包括将生产基于创新晶圆键合技术和下一代先进节点的最新一代3D 闪存的设施。 该补贴将根据一项指定的政府计划发放，旨在促进企业投资尖端半导体生产设施并确保日本半导体的稳定供应。hwUesmc

对此，日本经产省发言人称，铠侠和西部数据决定支持合资公司在三重县四日市和岩手县北上市扩大先进 NAND 内存半导体的生产，并将维持长达10年的合作。hwUesmc

这位发言人表示，希望这一大规模投资能够对三重县、岩手县及周边地区产生广泛的经济连锁反应，包括地区投资和工资增长。 hwUesmc

此次铠侠和西部数据的合资制造工厂为第二次获得日本政府的补贴，此前，位于四日市的合资制造工厂获准在2022年获得日本政府最多929亿日元的补贴。hwUesmc

据《国际电子商情》获悉，2022年10月，由铠侠和西部数据投资的全球最先进的半导体制造工厂Fab7在四日市工厂开业。Fab7一期工程总投资预计约1万亿日元，其中部分资本投资由政府补贴资助。hwUesmc

世界最先进研发与制造基地四日市工厂历史

铠侠四日市工厂是世界上最大、最高效的闪存生产工厂之一，其主要产品BiCS FLASH、NAND闪存等半导体，存储器件。hwUesmc

该基地起步于1992年1月，现有占地面积约69.4万平方米，朝日测试中心（Asahi Test Center）约4.78万平方米。截至2023年3月底，这里约有7200名员工。hwUesmc

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铠侠四日市工厂主要产品（资料来自铠侠官方）hwUesmc

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1992年，原东芝四日市工厂成立，是当时最先进的存储器产品的制造工厂。hwUesmc

在历经两年时间开发，Fab1于1993年正式投产，建成前段制程与后段制程一致的生产线，开始生产16Mbit DRAM，这也是四日市工厂的第一个产品。hwUesmc

1995年，Fab2建成，旨在进一步扩大产能和批量生产下一代产品。 1996年，开始生产64Mbit DRAM。hwUesmc

1997年6月，16Mbit DRAM累计产量达到1亿颗。hwUesmc

随着64Mbit DRAM产能大幅提升，128Mbit DRAM、256Mbit NAND闪存、NOR闪存、SRAM等下一代内存产品的开发也取得进展。hwUesmc

1998年，东芝负责存储器组装业务的子公司四日市东芝电子株式会社成立。 1999年，除了DRAM和SRAM之外，还开始生产NAND闪存。开发和制造功能集中在四日市工厂，生产能力得到提高。hwUesmc

然而，在成立10年后的2001年，由于IT衰退的影响，东芝宣布退出DRAM的制造和销售。由于此次撤资，四日市东芝电子株式会社也随之解散。hwUesmc

2002年，东芝半导体存储器业务将与生产NAND闪存的SanDisk Corporation（现为Western Digital Corporation）的合资公司“Flash Vision LLC”迁至四日市工厂，并将Dominion Semiconductor, LLC A的设施和设备搬迁至四日市工厂。此时，该基地将开发转向高价值存储器产品，特别是NAND闪存。彼时，由于数码相机和带摄像头的手机开始大量普及，NAND闪存市场出现爆炸式增长。hwUesmc

随着行业需求复苏，当时作为规模世界一流制造能力的四日市Fab4于2007年6月投产。hwUesmc

2008年7月，四日市工厂收到了三重县的违规警告。为了避免类似情况再次发生，公司将下一代存储器产品的研究和技术开发部门“先进存储器开发中心”转移到四日市工厂。hwUesmc

此时，建造Fab5一开始酝酿。然而，当时全球经济低迷拖累了半导体市场，存储器业面临严峻挑战。hwUesmc

2010年，随着市场状况的复苏，四日Fab5开始建设。东芝LSI Package Solutions Co., Ltd.搬迁至四日市工厂，以加强组装业务。同年，向全球生产多种内存产品的200mm晶圆终止，此业务经营长达约18年。hwUesmc

2011年4月，Fab5建设完成。同年9月，公司实现了NAND​​闪存累计产量100亿颗（换算为1GB）。此外，公司开始量产全球首款、最小的19nm NAND闪存。hwUesmc

随着技术和成本竞争的加剧，2011年完成Fab5（一期）建设，2014年完成Fab5（二期）建设，2016年重建Fab2，2018年完成Fab6和内存研发中心建设。hwUesmc

单元尺寸微缩的极限开始显现，3D闪存于在2016年开始量产。由于存储器容量的快速增长和制造工艺技术的成熟，四日市工厂的产能呈指数级增长。hwUesmc

2022 年，四日市工厂迎来成立30周年。hwUesmc

同年10月，由铠侠和西部数据投资的全球最先进的半导体制造工厂Fab7在四日市工厂开业。hwUesmc

Fab7一期工程总投资预计约为1万亿日元。 Fab7工厂一期的部分资本投资由政府补贴资助，该补贴将促进尖端半导体生产设施的发展，并确保日本半导体的稳定生产。hwUesmc

Fab7具备生产第六代162层闪存和未来先进3D闪存的能力，计划于2023年初开始出货162层闪存。hwUesmc

该设施利用人工智能来提高生产效率，并采用节省空间的设施设计，扩大了洁净室中制造设备的可用空间。 Fab7 专为安全和可持续发展而设计，能够吸收地震冲击，并采用最新的节能制造设备。hwUesmc

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资料来自铠侠官网hwUesmc