三星和SK海力士，杀入功率半导体市场

市场研究公司 Global Research Company 报告称，2023 年化合物功率半导体(例如GaN、GaAs、Sic、InP等)市场规模为 739.1 亿美元，预计到 2028 年将增长至 1133 亿美元。h2Iesmc

化合物半导体已成为各个行业的变革性影响。SiC 在汽车领域（尤其是 800V 电动汽车领域）的主导地位推动了价值数十亿美元的市场。同时，GaN 正在扩大其在消费和汽车领域的影响力。h2Iesmc

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图：化合物半导体市场预测。来源Yoleh2Iesmc

韩国的化合物功率半导体依赖进口，主要市场为欧洲（54%）、美国（28%）和日本（13%），韩国的市场份额仅为1%至2%左右。近日消息人士透露三星电子和 SK 海力士正力推化合物功率半导体市场， h2Iesmc

为了应对这一发展，韩国工业技术规划评估院决定到 2028 年投资 1385 亿韩元（约7.2亿人民币）来​​开发化合物功率半导体的先进技术。h2Iesmc

三星电子和 SK 海力士也在考虑商业化，计划开发碳化硅 (SiC) 半导体以及 GaN 半导体。h2Iesmc

此举被视为其增强代工（半导体合同制造）业务竞争力的战略的一部分。6月28日，据多家韩媒报道，三星电子、SK Siltron、韩国东部高科（DB HiTek）以及无晶圆厂ABOV Semiconductor共同签署了半导体业务协议（MOU），共同致力于“化合物功率半导体先进技术开发项目”。h2Iesmc

三星的GaN之路

2023年6月，三星电子代工业务总裁崔时永在三星代工论坛上宣布，公司将从2025年开始生产8英寸GaN化合物功率半导体。这一对化合物功率半导体的强调预计将在2024年7月9日即将举行的论坛上重申。h2Iesmc

三星于2023年底将LED业务团队重组为CSS业务团队，以促进GaN半导体的商业化。这一变化是因为LED晶圆沉积设备可用于沉积GaN化合物。h2Iesmc

三星的目标是凭借多年积累的LED开发能力，开发GaN半导体。h2Iesmc

SK海力士的GaN之路

而SK海力士则通过其子公司SK keyfoundry ，寻求开发和量产GaN半导体，目标是在今年内开发出GaN半导体，并于2025年开始量产。h2Iesmc

SK KeyFoundry于 2022 年组建了一个团队来开发 GaN 工艺，上个月，该公司宣布已获得8英寸650V 氮化镓 HEMT 的器件特性，并计划在今年内完成开发。h2Iesmc

此外， 今年5月，DB HiTek宣布将在今年第三季度引进氮化镓器件生产所需的相关设备，并在今年年底前完成量产准备，预计该GaN代工厂将从明年年初开始运营。h2Iesmc

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