D1Oesmc
武汉芯源半导体有限公司
D1Oesmc
通用高性能CW32F003/030系列D1Oesmc
1、ARM Cortex-M0+内核单片机MCU,采用Prefetch+Cache架构,优秀的CoreMark计算力/功耗比；D1Oesmc
2、稳定可靠的eFLASH制造,确保工业高可靠应用;HBM ESD 8KV,高可靠性,安全可靠；D1Oesmc
3、12位高速ADC,可达到±1.0 LSB INL,11.3 ENOB(有效位数);16位高级控制定时器；D1Oesmc
4、超强抗干扰、超宽工作电压1.65V-5.5V,超宽工作温度-40℃-105℃。D1Oesmc
D1Oesmc
安全低功耗CW32L083/L031/L052系列D1Oesmc
1、CW32L031系列功耗典型值：深度休眠模式0.45uA，4us超低功耗唤醒时间；D1Oesmc
2、CW32L083/052系列集成特性：16位低功耗定时器；具备LCD段码液晶驱动器；D1Oesmc
3、自动校准定时器可做时钟校准，或在Deepsleep模式下定时中断唤醒MCU；D1Oesmc
4、12位高精度ADC，1 LSB，内置1.5V和2.5V电压参考Vref ± 60ppm/°C。D1Oesmc
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