全球新规划8英寸SiC厂14座！

市场研究公司 TrendForce 在最近的总结中指出，过去几年，全球各大公司都在投资 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线，这些投资目前正逐步投入运营。F2Eesmc

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全球14家新建8英寸碳化硅工厂分布

在全球范围内，意法半导体 (ST)、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界领先半导体 (VIS) 和 EPISIL、士兰微电子和 UNT 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。F2Eesmc

TrendForce 补充说，其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。F2Eesmc

意法半导体（ST）：5月31日，意法半导体宣布在意大利卡塔尼亚建设新的8英寸SiC工厂，整合SiC生产工艺的各个环节。新工厂预计于2026年开始生产，2033年达到满负荷，最高产能为每周15,000片晶圆，预计总投资约50亿欧元。F2Eesmc

意法半导体与中国三安光电合资在中国重庆建设的8英寸SiC制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心。该项目于2023年6月宣布，预计将于2025年第四季度开始生产，预计2028年全面竣工。F2Eesmc

安森美（Onsemi）：安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂于2023年完成扩建，计划在完成技术验证后，于2025年过渡至8英寸生产。届时产能将扩大至现有规模的10倍。F2Eesmc

英飞凌：8月8日宣布，英飞凌位于马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期正式投入运营，预计2025年实现规模化生产。F2Eesmc

Wolfspeed：Wolfspeed拥有全球首座也是最大的8英寸SiC工厂，位于纽约州莫霍克谷，于2022年4月正式开业。截至2024年6月，该工厂已实现20%的晶圆利用率。F2Eesmc

2023年1月，Wolfspeed与汽车零部件供应商ZF宣布计划在德国萨尔州建设全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂。这一项目已被推迟，现在预计最早也要到2025年才能开工。F2Eesmc

ROHM：ROHM在日本福冈县筑后町建设了SiC新工厂，将于2022年开始量产，并计划在2025年前从6英寸晶圆生产过渡到8英寸晶圆生产。2023年7月，ROHM宣布计划在2024年底前在日本宫崎县第二工厂开始生产8英寸SiC基板。F2Eesmc

博世：博世位于德国罗伊特林根的工厂于 2021 年开始生产 6 英寸 SiC 晶圆，目前该工厂还生产 8 英寸 SiC 晶圆。位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂预计将于 2026 年开始生产 8 英寸 SiC 晶圆。F2Eesmc

三菱电机：5月下旬，三菱电机宣布位于日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月完工，投产时间从2026年4月提前至2025年11月。F2Eesmc

富士电机：今年 1 月，富士电机宣布未来三年（2024-2026 财年）投资 2000 亿日元用于 SiC 功率半导体生产，其中包括在日本松本工厂的 8 英寸 SiC 产能，预计将于 2027 年开始生产。F2Eesmc

联合星科技（ UNT）在绍兴市越城区建成首条8英寸SiC MOSFET晶圆生产线，并于今年4月完成工程批量生产，预计2025年实现量产。F2Eesmc

士兰微电子：今年6月18日，士兰微电子在厦门正式启动我国首条8英寸SiC功率器件芯片生产线项目，总投资120亿元人民币。项目分两期建设，年产能为72万片8英寸SiC功率器件芯片。一期投资70亿元人民币，预计2025年三季度末完成初步并网，2025年四季度试产，年产量目标为2万片晶圆。二期投资约50亿元人民币。F2Eesmc

世界先进半导体（VIS）与EPISIL：9月10日，世界先进宣布拟投资24.8亿新台币收购EPISIL 13%的股权，两家公司将合作研发和生产8英寸SiC晶圆技术，预计2026年下半年实现量产。F2Eesmc

泰国首家碳化硅工厂：近日，泰国FT1 Corp合资公司投资115亿泰铢（3.5亿美元），利用从韩国芯片制造商转让的技术，建设泰国首家碳化硅工厂，生产6英寸和8英寸晶圆。该工厂预计将于2027年第一季度投产，以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。F2Eesmc

概括F2Eesmc

上述14家碳化硅工厂（其中12家在建）中，目前仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内能够供应8英寸SiC晶圆，TrendForce总结，预计其他厂商明年起将陆续开始供应8英寸SiC晶圆。F2Eesmc

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