“赢麻了”!SK海力士公布史上最强财报

“赢麻了”!SK海力士公布史上最强财报

国际电子商情23日讯 韩国科技巨头SK海力士日前发布的2024财年及第四季度财务报告显示,公司营业收入达66.1930万亿韩元,营业利润23.4673万亿韩元,净利润19.7969万亿韩元,营业利润率达35%,净利润率30%,均创下历史新高。这一成绩不仅超越2018年存储器市场繁荣期,还凸显了SK海力士在AI半导体存储器领域的强大竞争力。

数据显示,公司2024财年营业收入为66.1930万亿韩元,营业利润为23.4673万亿韩元(营业利润率为35%),净利润为19.7969万亿韩元(净利润率为30%),创下了有史以来最佳年度业绩。2aGesmc

2024年第四季度的营收为19.7670万亿韩元,环比增加12%,营业利润为8.0828万亿韩元,环比增加15%,净利润为8.0065万亿韩元。2024财年第四季度营业利润率为41%,净利润率为41%。2aGesmc

与有史以来最高的2022年营收相比,2024年总营收高出了21万亿韩元以上,其营业利润也超越了2018年存储器市场超繁荣期的业绩。2aGesmc

* 2022年年度营业收入:44.6216万亿韩元 / 2018年年度营业利润:20.8437万亿韩元2aGesmc

SK海力士2024财年财务报表                                  单位: 亿韩元2aGesmc

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SK海力士2024财年第四季度财务报表                    单位: 亿韩元2aGesmc

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SK海力士方面表示,“面向AI的半导体存储器需求强劲的情况下,凭借业界领先的HBM技术实力和以盈利为主的经营活动,实现了历史最高业绩。”以2024年第四季度呈现高增长趋势的HBM为例,其占据了整个DRAM销售额的40%以上,企业级固态硬盘(eSSD,enterprise SSD)销售也持续增加。公司发言人强调称,“以及时供应满足客户要求的产品为竞争力,具备其就可实现稳定的盈利,公司通过此次业绩得到证实,其意义重大。”2aGesmc

截至2024年底,SK海力士的现金及现金等价物为14.2万亿韩元,同比增加了5.2万亿韩元,债务为22.7万亿韩元,同比减少了6.8万亿韩元。因此,债务和净债务比率也分别大幅改善为31%和12%。 2aGesmc

SK海力士预测,随着大型科技公司对AI服务器的投资扩大,人工智能推理技术的重要性也日益增加,由此高性能计算所必需的HBM和高容量服务器DRAM的需求将持续增长。并且在客户端产品市场预测部分库存调整的情况下,搭载人工智能的PC和智能手机销售有望提升,预计下半年市场状况将有所改善。 2aGesmc

对此,该公司计划今年增加HBM3E的供应量,并适时开发出HBM4,根据客户的要求进行供应。并且在需求稳定持续的情况下,将为了具有竞争力的DDR5和LPDDR5生产,推进所需的先进工艺转换。NAND闪存方面,继去年之后也将以盈利为主的运营和满足需求情况的灵活销售战略应对市场。 2aGesmc

另外,SK海力士将固定年度股息从每股1200韩元提高至1500韩元,上调25%。并且将现金股息全年总额扩大到1万亿韩元的规模。因此今后仅派发固定股息,将先前政策中包含的年度累计自由现金流(FCF,Free Cash Flow)中5%份额优先利用于加强健全的财务结构。2aGesmc

1c DRAM竞争同样激烈

彭博行业研究指出,SK海力士在最先进HBM芯片领域占据主导地位,这的确帮助其实现了稳定的营业利润率,尽管智能手机和个人电脑对传统DRAM的需求可能正在失去动力,导致NAND芯片的平均售价可能与美光一起略有下降。由于季节性需求疲软,SK海力士可能预计DRAM和NAND芯片的出货量将在第一季度环比下降,然后在第二季度复苏。2aGesmc

但这并不影响SK海力士在DRAM开发方面的进度。据MoneyToday报道,SK海力士预计最快将于2月份成为全球首家采用1c工艺量产DRAM的公司(不过,也有传闻说SK海力士将其10nm级第六代1c DRAM的开发推迟了六个月,目标日期为今年6月)。2aGesmc

另一方面,三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程开发进度出现延迟。原本计划在2024年12月将1c DRAM的良率提升至 70%,达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但实际情况是,虽然三星在2024年底获得了首款功能齐全的1c DRAM 芯片,但其产量未能达到目标水平。值得注意的是,报道还补充道,由于产量问题导致的延迟也可能影响三星计划在2025年下半年进行的HBM4量产。2aGesmc

根据ZDNet之前的报道,SK海力士计划最早在2025年6月向NVIDIA交付HBM4 样品,预计全面产品供应将在第三季度末开始。2aGesmc

为了避免最坏的情况发生,报道表示三星正在对1c DRAM设计进行调整,并将尽最大努力加快开发进程。否则,如果1c DRAM的生产在2025年底开始,HBM4的生产可能会进一步推迟到2026年。加之美光宣布计划在2025 年4月达成1c nm DRAM开发目标,这意味着三星很可能成为最后一家官宣1c nm DRAM的三大原厂。2aGesmc

责编:Elaine
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