2025年存储最新行情预测及发展趋势

“最近，存储现货市场出现止跌的信号，预计在2025年Q2，NAND产品的价格将率先企稳，2025年Q3整体存储价格有机会迎来回升。”在一年一度的CFMS Memorys上，中国闪存市场总经理邰炜围绕应用端、供应端、新产品形态、市场格局演变等方面，对2025年存储最新行情和发展趋势做了分析和预测。RTQesmc

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中国闪存市场总经理邰炜RTQesmc

应用端：服务器、AI手机、AI PC带动存储需求

如今服务器市场已成为存储发展的核心驱动力。整体来看，2024年服务器的存储容量增长了107%，这部分的增长包含了NAND和DRAM。预计今年服务器数量相比去年继续增长，将达到1,330万台，其中AI服务器的占比将达到14%，会进一步推高服务器的配置。RTQesmc

同时，主流服务器平台也已全面支持DDR5和PCIe 5.0。相比之下，PCIe 5.0的性能更强，在训练时间相比上一代(PCIe 4.0)有着明显的提升，预计2025年部分厂商的PCIe 5.0的搭载率将达到30%。邰炜指出，相信随着今年下半年图灵平台的上市，预计6,400频率的96/128G的DDR5在服务器市场将迎来放量增长。RTQesmc

在AI浪潮下，计算平台从以CPU为中心转移到以GPU/NPU为中心，算力规模的指数级增长也对存力需求提出更高的要求。HBM以高带宽、多I/O数量、低功耗等高性能加持下，在AI时代得到广泛应用。RTQesmc

HBM市场自2024年进入爆发增长阶段，随着2025年英伟达GPU架构的再次升级，将带动HBM从HBM3正式进入HBM3e。预计2026年HBM4的出现，也会带来更多定制化需求。RTQesmc

换机周期拉长、增量趋缓，手机市场的表现稍显平淡。虽然中国大陆针对手机进行了国补，但是没有从原则上解决这些问题。很多手机厂商认为，手机作为消费者的核心入口，未来AI在手机里将大有可为。基于此，手机厂商对今年的AI手机发展保有很大的信心，预计2025年AI手机的比例将会达到30%。RTQesmc

在AI手机的存储方案上，分离式的比例将继续提升，AI将加速对更高性能LPDDR的需求。目前，旗舰机ePOP方案均是采用496Ball封装的LPDDR5X。而随着2026年LPDDR6商用，LPDDR5X将下沉至中端手机。此外，尺寸更小，成本也更具优势的245Ball LPDDR5/5X也将具备较大的优势。RTQesmc

AI在PC上的落地会更快速，2025年AI PC相比去年将有质的飞跃。在PC DRAM上，LPDDR5X和DDR5将成为主要应用，LPCAMM2形态的存储产品也将提供更多选择。在SSD上，随着先进制程的PCIe Gen 5主控芯片的量产，其功耗、散热将得到有效的缓解，所以PCIe 5.0在PC上的应用也会加速。RTQesmc

汽车是存储的下一个重要应用市场，在整车厂的推动下，智能驾驶的普及率有望飞速提升，存储系统已从辅助部件蜕变为智能汽车的核心战略资源，车用存储迎来新的发展阶段。RTQesmc

供应端：存储现货市场已经止跌，Q2 NAND价格将率先企稳

从各大原厂的最新的财报可以看出，大家的资本支出已经不聚焦于提升产能，在此背景下，整个晶圆数量的产出增量减少了很多。目前，大家更多将投入到更先进封装或者研发上，侧重HBM、1c、1γ（gamma）和更高层数的堆叠。RTQesmc

在技术路线上，NAND将继续朝更高堆叠发展，预计在今年将进入300层以上的时代，同时混合键合技术已经成为NAND Flash重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化技术架构和材料，克服超高层NAND Flash的量产挑战。而在DRAM方面，2025年DRAM制程将会往1c、1γ（gamma）方向演进。RTQesmc

此外，DeepSeek为开源及低成本AI方案开辟了广阔前景。当前，一体化DS机畅销，行业大模型应用加速，端侧落地进程亦不断加快，内置DS更成为产品卖点。这些因素均有力推动了存储产业的持续高速发展。RTQesmc

最近，存储现货市场出现止跌的信号，预计在2025年Q2，NAND产品的价格将率先企稳，2025年Q3整体存储价格有机会迎来回升。接下来，智能眼镜、智能手表，以及更多消费电子产品出货量增加，也将会给存储带来更多的应用市场。RTQesmc

内存需求多样化已催生更多新形态产品

由于内存需求的多样化发展，传统的分类标准发生了变化，同时也出现更多新形态的产品。在数据中心领域，因为侧重对整体TCO持续优化，低功耗运行变得越来越重要，市场上已经出现了基于LPDDR的LPCAMM (低功耗压缩附加内存模组)。LPCAMM是2024年专为笔记本电脑和其他紧凑型设备而设计的新一代内存。当前，行业内LPCAMM的发展正处于快速上升期，各大厂商正在推出相关产品，以满足市场对低功耗、高性能、易升级内存解决方案的需求。RTQesmc

而面对有限空间及更高密度存储的需求，SOCAMM(空间优化内存模组技术)的概念也应运而生。SOCAMM由英伟达主导研发的面向AI计算、HPC、数据中心等领域的高密度内存解决方案，该内存技术具有极高的数据传输带宽，能够显著提升个人AI超级计算机的性能。集成了低功耗和高能效的LPDDR5X DRAM，有助于降低系统能耗，延长设备电池寿命。值得注意的是，SOCAMM内存模块采用可拆卸设计，这使得更换和升级变得更加便捷，可提高设备的灵活性和使用寿命。RTQesmc

此外，MRDIMM(多路复用双列直插内存模组)利用多路复用器和多Rank设计，可以实现在相同通道下提升有效带宽。MRDIMM是一种新型内存技术，旨在满足现代服务器对更高内存带宽的需求。它通过同时操作两个内存通道，显著提高了数据吞吐量，从而提升了内存性能。RTQesmc

当然，还有在CXL3.0时代也将看到内存池化进入实用阶段。邰炜表示，对于很多企业而言，最关键的不在行情得把控，而是紧跟需求和技术巨大的投入，以及路线选择才是真正意义上的难点。RTQesmc

QLC加速渗透与HBM驱动下的市场格局演变

2025年，NAND Flash和DRAM的表现各不相同。RTQesmc

2024年NAND Flash的市场规模达到700亿美金，总的容量达到8,330亿GB，今年ASP（平均销售价格）下降，预计市场规模将有所减少，随着2025年NAND Flash价格回归理性，将会促使更多企业去推高容量产品，维持产业稳定健康发展。RTQesmc

2025年DRAM的格局将发生变化，目前HBM在整个DRAM产业的占比已经将近30%。去年，服务器内存消耗的HBM已经超过了手机，预计今年这个趋势还会持续深化。DRAM部分由于受到HBM出货量增加的影响，2025年DRAM市场将达到2,880亿GB的当量。RTQesmc

另外，大容量存储的需求，已经促使QLC时代提前到来，2024年甚至出现了QLC产品供不应求的情况。根据中国闪存市场预计，未来QLC产能将占总存储产能的20%左右。目前，在企业级QLC SSD上，32TB大规模量产，64TB、128TB需求增加，预计2025年将有超过45%的QLC产品用在服务器上。RTQesmc

除了应用在服务器和PC上之外，2025年手机QLC应用也将迎来突破，更多手机开始搭载512GB甚至1TB的QLC UFS。邰炜评价道，这些变化让2024年的存储行情迅速走出阴霾，并且在产量和增速上创下历史新高，存储市场的规模达到了1,670亿美金，在此基础上，预计2025年将依旧保持增长。RTQesmc