据分析公司Counterpoint Research的数据，今年第一季度，SK海力士以36%的市场份额成为DRAM最大的供应商，首次超过三星的34%的市场份额。US4esmc
尽管三星电子工艺成本低20%-30%，但HBM转型滞后。2025年三星电子Q1 HBM市场份额不足30%，且12层HBM3E样品交付延迟，导致DRAM产能被挤占，份额下滑至34%。US4esmc
这是 SK 海力士首次在排名中击败竞争对手三星，后者几十年来一直是 DRAM 的最大供应商。US4esmc
人工智能拉动HBM需求，SK海力士今年的HBM产能已经售罄
SK海力士的崛起与其在高带宽存储器（HBM）领域的领先地位息息相关。HBM由DRAM制成，而DRAM在人工智能应用领域的需求量很大。2024年HBM产品在AI领域的营收预计占全球DRAM市场的20%。US4esmc
SK海力士在开发客户所需的HBM方面击败了三星，并拥有许多大型科技公司作为其客户。今年第一季度，SK海力士在HBM市场占有70%的份额。该公司正在向其主要客户 Nvidia (在AI加速器中使用 HBM)和其他客户提供最新版本的 HBM3E。SK Hynix 还开发了后续产品 HBM4，并已向客户提供样品。US4esmc
SK海力士首席执行官上个月表示，该公司今年的HBM产能已经售罄。在与客户谈判于今年上半年结束后，预计2026年的产能也将在年内售罄。US4esmc
Counterpoint Research 预计 SK 海力士将在第二季度继续成为 DRAM 的最大供应商。US4esmc
SK海力士将增加30%的设施支出，以应对HBM需求激增
由于高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士决定将今年的计划资本支出提高 30%。US4esmc
消息人士称，该芯片制造商最初计划今年斥资 22 万亿韩元扩建其设施，但这一数字已升至 29 万亿韩元。US4esmc
该决定最近已最终确定，SK海力士还向供应商发出备忘录，要求其在10月份之前将设备交付至忠州的M15X工厂，比最初计划提前了两个月。SK海力士计划在 M15X 生产其最新的 DRAM。那里生产的 DRAM 大部分是 1b DRAM，用作 HBM3E 中的核心芯片。US4esmc
这些举措均是为了向客户更快、更多的供应 HBM 芯片。US4esmc
此外，得益于高带宽内存（HBM）和先进封装技术，去年韩国晶圆厂设备制造商的利润总体大幅增长。包括韩美半导体(SK Hynix 的 HBM 生产所用 TC 键合机的唯一供应商)的营业利润同比增长638.15%；Techwing增长631.25%、Zeus增长592.96%、Jusung Engineering增长236.33%、DIT增长180.23%、Auros Technology增长154.17%。 US4esmc
责编：Echo
