随着2D技术微缩瓶颈凸显，2016年三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产。三星最早在2013年以24层投入3D NAND生产，2016年主要量产32层和48层3D NAND，将在年底前开始出货64层3D NAND，预计年底前3D NAND生产比重可提升至40%。0aiesmc
2016年除了三星，东芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND，东芝已出样64层3D NAND，美光和SK海力士在2017年也将分别投入64层和72层3D NAND生产，同时东芝Fab 2、美光Fab 10x已开始进入投产阶段，再加上SK海力士M14在2017年投产，3D NAND市场竞争已进入白热化阶段。
三星除了2013年在中国西安兴建3D NAND专用工厂，还在2016上半年将华城Fab 16改造成48层3D NAND产线，以及计划在2016年底启动Fab 17产线量产3D NAND，现在提前平泽厂的投入时间，可以预见三星在2017年的3D NAND产能将会大增。0aiesmc
三星为了稳固在3D NAND市场的领先地位，以及满足市场对高存储密度和高性能NAND Flash的需求，据韩媒etnews 4日报导称，三星平泽厂将提前三个月投产，目前平泽厂的建筑工事进入尾声 ，正修筑工厂外墙，预计12月完工，紧接着开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。0aiesmc
据早期报道，三星在2015年投资兴建平泽存储器工厂，第一阶段投资规模达15.6兆韩元，再投入10兆韩元，总投资规模将达25兆韩元以上，主要用于发展10nm工艺和3D技术，预计在2017年投入生产，未来将成为三星重要存储器生产基地。
西安三星工厂于2014年5月竣工，产能配置还是传统2D闪存0aiesmc
此外，中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地之一，三星12英寸闪存芯片工厂（西安）一期工程投资规模高达441亿元，可以生产最先进的10纳米级闪存芯片，去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂。0aiesmc
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西安三星工厂于2014年5月竣工，产能配置还是传统2D闪存
