DRAMeXchange全球半导体观察表示，现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3／4 4Gb价格分别来到2.46／2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。0pWesmc
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，观察市场面，由于原厂产能陆续转进移动式内存与服务器内存后，标准型内存产能已低于20%以下，加上厂商库存水位偏低与旺季需求比预期更佳，标准型内存出现历年少见在无工厂意外情况下而价格暴涨的情形，此效应也让其他的DRAM产品在第四季皆有涨幅。0pWesmc
近期上涨行情成寡占格局最佳典范，长期不利中国厂商进军内存产业
吴雅婷指出，2016下半年在全球智能手机与服务器需求强劲下，DRAM产能迅速转进移动式内存与服务器用内存，标准型内存因此面临供需严重失衡，成为DRAM价格全面起涨的契机。同时，三大DRAM厂间关系也发生了微妙的变化，首先三者认同自己现在的竞争态势，不再为抢占市占率而非理性扩产，在共荣共存的前提下，也都遵循最大供货商的价格策略，不再削价竞争，以确保自身最大获利。0pWesmc
此外，DRAMeXchange预估各家原厂对2017年DRAM资本支出将不会扩大，较今年持平或是下修可能性高，意味军备竞赛暂告落幕，以获利为首要目标将是DRAM厂一致的共识，2017年产能年成长也将创下近八年来最低，供给位元年成长率低于20%。0pWesmc
值得注意的是，中国政府近年宣示进军内存产业，时值市场状况不佳，借并购与合作确实是切入内存产业的最佳时机点，韩系厂商都处于获利阶段，与中国合作意愿不高，反观财务状况不佳的美光自然是中国政府的目标，然而，经由这次韩系DRAM大厂主导的涨价，不光帮助美光摆脱财务窘境，在未来持续获利的情况下，也无形降低美光与中国合作的意愿，毕竟在中国大举进军存储产业的背景下，三大DRAM厂不免感到压力。0pWesmc
吴雅婷表示，此波涨价蕴含着三大DRAM原厂的近期目标与长期策略，近期可让自身维持不错的获利结构，长期则可提高中国进军内存产业的门槛。0pWesmc
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