有传闻表示，作为明年上半年的旗舰处理器，高通骁龙830将会采用四个大核心、四个小核心的八核Kryo架构设计，最高频率为2.6GHz，10nm工艺制造。并且，高通骁龙830正在酝酿改名，可能835甚至850，也可能不改。高通内部有意见认为：这样可以促进营销效果。0x6esmc
近日，根据国外科技网站报导指出，高通已经开始为下年的旗舰芯骁龙830准备新的快充技术——QC4.0，它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率，具备安全检测功能。0x6esmc
高通快充全称QucikCharge，QC1.0最常见的规格是现在低端机上的5V2A充电；QC2.0走的高电压路线，最常见的是9V和12V的电压，功率一般在15-20W附近；QC3.0着重提升的是充电效率，INOV技术可提供200mV的步进电压调节梯度，提升速度之余可以减轻手机的发热。0x6esmc
QC 4.0快充，传闻最高攻略可达28W的功率，采用5V/4.7A~5.6A和9V/3A（舍弃了12V），同时INOV技术的步进电压精度提升到10mV，进一步提升充电效率并减轻发热。0x6esmc
预计由明年的骁龙830平台首发，而且甚至可能整合到SoC当中，但暂时未知会否提供独立的电源芯片，让其他SoC也能享受新的快充。0x6esmc
事实上，高通采用的是一种被称为“最佳电压智能协商算法”的技术，它能够在任意时刻精确地识别电池需要的充电功率，避免出现过热甚至爆炸等情况。坦白说，此前三星Galaxy Note 7的爆炸事件已经让消费者更加重视手机的安全性能。0x6esmc
外界猜测，支持Quick Charge 4.0技术的智能手机很有可能会在明年第一季度正式进入市场。0x6esmc
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