日前，Qualcomm Technologies和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm骁龙835处理器。
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可实现：ptdesmc
•减少高达30%的芯片尺寸ptdesmc
•性能提升27%或功耗降低40%ptdesmc
通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，这意味着什么呢？ptdesmc
高通表示，对于OEM厂商来说，在即将发布的产品中将拥有更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。而制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。ptdesmc
目前，骁龙835已投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。ptdesmc
遗憾的是，高通目前并没有公布骁龙835的具体规格，在性能方面，骁龙835应该又是一位屠榜者。ptdesmc
Quick Charge 4.0:兼容USB-PD，拒绝“炸机”
高通在发布会上首次推出第四代超快速充电技术-Quick Charge 4，它将于2017年上半年应用到智能手机新产品当中，确保手机或平板不会在充电时过热，三星Galaxy Note 7就是在此问题上栽了跟头。ptdesmc
高通公司产品管理高级总监Everett Roach在Snapdragon技术峰会上表示，Quick Charge4仅需充电5分钟将就可以提供长达5小时的电池寿命，Quick Charge 4充电功能将集成到高通下一代移动处理器当中，包括今天发布的高通骁龙Snapdragon 835芯片。ptdesmc
随着手机和平板电脑变得越来越大，性能需求越来越高，电池寿命一直是用户关注的重点。高通在一项研究中发现，快充已成为61%手机买家首要考虑的指标。ptdesmc
高通表示，使用Snapdragon 835的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。Quick Charge 4比高通上一代快速充电技术缩短30%的充电时间，电池效率提高30%。另外和上一代技术相比，Quick Charge 4也将让手机温度降低高达5摄氏度。
Quick Charge 4不仅局限于智能手机，Quick Charge 4能够在几分钟内让平板电脑，VR耳机和无人机获得充足动力。目前，超过6亿个设备支持快速充电。ptdesmc
高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示，QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。ptdesmc
此外，QC 4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法（INOV），将能够在既定的散热条件下，自主确定并选择最佳的电力传输水平，从而优化充电。ptdesmc
另一方面，QC 4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。ptdesmc
Quick Charge 4.0符合Google的USB Type-C最新指南ptdesmc
更重要的是，这套新方案用到了高通的INOV技术（Intelligent Negotiation for Optimum Voltge，最佳电压智慧协调），而且它还符合Google为USB Type-C提出的最新参考指南，不像QC 3.0那样有违Nougat的规格要求。大家都知道，Google现在希望避免各类不同快充标准所带来的潜在使用隐患，毕竟像一加2充电线充坏其它设备这样的事情，到今天为止已经发生不少例了。ptdesmc
对此高通表示，自家的新技术“为充电器和移动设备都准备了先进的保护功能”，它可以调整电流、电压和温度，用来确保电池、电线和连接器的安全。“为了避免电池过充和调节每个充电周期内的电流，我们还专设了额外的保护层。”高通在新闻稿中这么写道。ptdesmc
毫无意外，QC 4能兼容USB Power Delivery肯定是一件好事。毕竟Google已经给出了强烈建议，未来的Android 版本会要求Type-C手机完全匹配标准Type-C充电头的互用性（Interoperability），虽然这读起来是一个可能出现的要求，但言下之意其实已经很明显。ptdesmc
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