据新华社报道,总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后,该项目年产值将超过100亿美元,实现中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月。
国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。这是湖北省建国以来最大的投资项目,也是中国目前最大的单体投资项目,将成为中国乃至全球最密集的电子信息产业基地。
存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,同时也是中国进口金额最大的集成电路产品。据统计,存储芯片在整个芯片市场占比超过25%,未来将达到45%左右。目前,全球仅有三星、东芝、美光、海力士四家企业在生产主流存储器。W7Gesmc
据悉,国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口,以长江存储(武汉新芯的3D NAND闪存)为龙头,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。作为项目承载地的武汉东湖高新区,正在加快引进芯片设计、封装测试等环节的重点企业,积极打造集成电路产业生态体系,并正在组建武汉国际微电子学院、集成电路工业研究院、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电路产业创新中心。W7Gesmc
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