集邦咨询半导体研究中心最新研究显示，2016年底，NAND Flash市场缺货情况达到最高峰，在供货持续吃紧的预期心理带动下，DRAMeXchange估计2017年第一季eMMC单季涨幅达15～20%，而SSD合约价也上涨10～15%，创下近八个季度以来单季涨价幅度的新高。不过，由于近期NAND Flash、面板与DRAM等关键零部件涨势凌厉，已冲击到智能手机与笔电的成本管控、压缩厂商利润，因此eMMC与SSD的平均存储容量搭载量的成长速度将因而趋缓。fknesmc
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于NAND Flash累积涨价幅度已高，迫使终端厂商纷纷调整产品平均存储容量搭载量，预估第二季NAND Flash市场在整体供需仍健康的情况下，SSD与eMMC合约价上涨幅度将出现明显收敛，过去几个季度大幅涨价的态势将走缓。fknesmc
展望2017年，以各项NAND Flash终端需求来看，企业级固态硬盘仍为需求成长最稳健的领域，受惠于服务器与数据中心端需求的强劲成长，高效能的企业级固态硬盘在系统设计上将更为普遍。而用户级固态硬盘部分，平均搭载量成长速度将因NAND Flash涨价而趋缓。但SSD已成为笔电的标准配备，今年SSD在笔记本电脑的渗透率仍将持续提升。fknesmc
此外，杨文得指出，苹果于下半年推出的新一代iPhone，将是NAND Flash市场的后续观察指针，在大幅度改款与更多新功能加入后，iPhone将重拾销售动能，有助于下半年NAND Flash市场的行情。fknesmc
Flash市场最大变数，3D NAND产能顺利开出
台媒报道称，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。fknesmc
不过，随着3D NAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NAND Flash市场最大变数。fknesmc
2D NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据（WD）进入15纳米，美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2D NAND技术推进上已出现发展瓶颈，用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。fknesmc
去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升，涨势直达年底，主流的SSD价格涨幅超过4成，eMMC价格最高逼近6成，完成出乎市场意料。在此一情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速抢进3D NAND市场，而今年亦成为3D NAND市场成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是一触即发。fknesmc
以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。fknesmc
包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3D NAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3D NAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层芯片，今年生产主力将开始移转至64层3D NAND，除了Fab 5开始提高投片外，Fab 2将在本季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。fknesmc
SK海力士去年在36层及48层3D NAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3D NAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3D NAND量产阶段。fknesmc
美光与英特尔合作的IM Flash已在去年进行3D NAND量产，去年底第二代64层3D NAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂也会开始全面转向进行3D NAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3D NAND，并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。fknesmc
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