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N-1代技术封锁颠扑不破!中国晶圆厂冲刺28纳米产能

随着联电厦门子公司联芯的28纳米先进制程工艺计划在今年第二季正式量产,拓墣产业研究院指出,中国大陆本土晶圆代工厂今年将冲刺在28纳米最先进制程工艺的布局,进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子。然而,随着外资纷纷于中国大陆设立晶圆厂,本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力。

拓墣指出,中国大陆本土纯晶圆代工厂商目前最先进的量产制程工艺为28纳米,根据统计,2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%,与28纳米制程市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍有较大差距。hHhesmc

不过,根据中芯国际财报显示,2016年第四季28纳米营收占比达到3.5%。中芯国际首席执行官邱慈云在2月15日的法说会上表示,28纳米以下制程工艺会是2017年中芯的成长动能之一,预期2017年底28纳米以下制程工艺将占公司营收比重达到7%-9%。在刚公布的2016年业绩报告中,中芯国际也展望2017年底28纳米季度营收占比接近10%。hHhesmc

观察华力微电子的制程工艺布局进度,虽然华力微电子宣布与联发科合作的28纳米移动通信芯片已顺利流片,但距量产仍有一段距离。华力微电子二期项目已于2016年底开工,计划2018年完工试产,预期将导入28纳米生产线,后期逐渐过渡至20纳米、14纳米,华力微电子二期项目也有导入22纳米FD-SOI工艺的计划。
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拓墣指出,目前正值中国集成电路产业飞速发展时期,除了本土晶圆制造厂商大力扩张发展外,受地方政府及资本的追捧,外资厂商也纷纷登陆,各厂商都寄望在中国集成电路产业发展的关键之际提前布局,占据有利市场地位。根据外资厂商进驻大陆的技术布局习惯,一般会授权(N-1)代的技术,然而,这些技术往往又会对同期中国本土厂商产品造成很大的冲击。hHhesmc

外资晶圆厂制程领先,冲击本土厂商

截至目前,在纯晶圆代工领域,选在南京建厂的台积电将于2018年下半年导入16纳米FinFET制程工艺,预计对中芯国际2019年初的14纳米FinFET量产计划产生较大影响;于成都落脚的格罗方德将于2019年底导入22纳米FD-SOI工艺制程,直接压迫同期华力微电子22纳米FD-SOI工艺的布局计划。
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另一方面,去年底刚投产的厦门联芯,初期导入55/40纳米制程工艺,近日在联电成功实现14纳米FinFET量产计划的条件下,宣布正式获得联电28纳米技术授权,并计划最快2017年第二季度导入量产,预估到年底在产能一万六千片中,有一万片是28纳米。hHhesmc

在量产速度上,联芯成为大陆领先。虽然中芯国际的28纳米制程工艺已在这之前开始量产,但从产品规格来看,中芯更多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术,对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深,而联电的28纳米在量产时间上领先中芯国际两年,技术水准也相对更加全面和稳定,预计未来会对中芯国际28纳米的布局产生较大的影响。hHhesmc

因此,拓墣指出,未来随着各外资厂商新厂的落成投产,等待大陆本土厂商的将是来自各外资厂商在技术、人才、市场等多方面资源的直接竞争,中国大陆晶圆代工厂先进制程布局将全面开战。hHhesmc

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