三星电子(Samsung Electronics)日前更新其代工技术蓝图，详细介绍该公司的第二代FD-SOI平台进展、多种块材硅(bulk silicon) FinFET工艺微缩至5nm，以及计划在2020年推出4nm“后FinFET”结构工艺。BiNesmc
三星在上周宣布拆分其代工业务成为独立单位，称为Samsung Foundry，同时重申先前发布的计划——在2018年7nm节点时将极紫外光(EUV)微影技术投入生产。BiNesmc
三星代工营销资深总监Kelvin Low表示：“我们极其积极地经营我们的开发蓝图，不只是作规划，而且也宣布未来三到四年内要做的事。”BiNesmc
在该公司于加州举行的年度代工技术论坛上，三星发布的重大技术突破是其专有的下一代产品架构，称为多桥通道场效晶体管(MBCFET)。据称这种结构是三星自行开发的全包覆式闸极场效晶体管(GAAFET)专有技术，采用纳米薄片组件，克服FinFET架构的实体微缩与性能限制。BiNesmc
三星的开发蓝图计划在2020年时以4nm低功耗(LPP)工艺投产MBCFET技术。BiNesmc
而从现在到2020年，三星预计今年将投产8nm LPP工艺，明年推出搭配EUV微影的7nm LPP工艺，而在2019年计划推出5nm和6nm LPP工艺。BiNesmc
EUV长久以来承诺可成功实现193nm浸润式微影技术，如今终于发展到即将投入生产之际。三星主要的竞争手——台积电(TSMC)与Globalfoundries，均已宣布在2019年将EUV用于生产的计划了。BiNesmc
三星已在工艺开发中展现250W EUV光源生产的目标。根据Low，透过EUV微影，可望达到每天1,500万片晶圆的产能。三星目前已能达到每日1,000片晶圆产能，并且有信心很快就能实现1,500万片晶圆产能的目标。
三星半导体部门总裁Kinam Kim发布该公司的代工工艺蓝图BiNesmc
“我们有信心能准备好在2018年将EUV投入生产，”Low说：“这已经不再只是概念性的开发蓝图。”BiNesmc
Low表示，相较于其竞争对手，三星将10nm节点视为“长前置期节点”(long-lead node)，即在相当长的一段时间内可为客户提供先进设计所要求的性能和功耗。BiNesmc
“只要功耗、性能和生产规模达到预期的目标，我们认为这就会是一个非常有生产力的节点，”Low说。BiNesmc
三星还详细介绍了计划在2019年投入生产的18nm FD-SOI工艺技术。预计在提供第二代FD-SOI平台之前，该公司将藉由整合射频(RF)与嵌入式MRAM，逐步扩展现有的28nm BiNesmc
FD-SOI工艺至更广泛的平台。相较于上一代平台，三星预计其第二代FD-SOI平台功耗更低40%、性能和尺寸优势也提升了20%。BiNesmc
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