该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司“东芝内存(Toshiba Memory Corporation,以下简称TMC)”负责策划，而东芝是在说明上述新厂兴建计划后才进行TMC的招标作业，因此即便之后TMC易主、预估新厂兴建计划仍将持续。而实际上，TMC卖身钱不过1兆+日圆。b6Nesmc
报导指出，东芝因TMC出售案一事和合作伙伴WesternDigital(WD)闹翻、对立情势加剧，因此上述新厂能否如之前一样和WD分担投资额仍旧不明，不过因TMC恐难于单独进行巨额投资，故若无法和WD达成和解的话，恐必须重新思考合作策略、寻找新投资伙伴。
东芝3日宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房“第6厂房”投资案，因和WD子公司SanDisk未能获得共识、协商破裂，故所需的设备投资金额将由TMC单独负担，且为了因应内存需求扩大，故投资金额将从原先规划的1800亿日圆加码至约1950亿日圆。东芝指出，计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。b6Nesmc
早在6月28日，东芝为了展现其在NAND Flash的技术实力，宣布，将在明年量产全球首款采用堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品，且也试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND Flash产品。而东芝再出招，宣布已试作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技术的3D NAND Flash产品、并将在年内送样。b6Nesmc
东芝表示，上述试作品采用堆栈48层制程技术，成功提高省电性能，且和采用打线接合(Wirebonding)技术的产品相比、其电力效率(每单位电力的数据传送量、MB/s/W)可提高至约2倍水平；另外，藉由堆栈16片512Gb芯片、成功实现了1TB的大容量产品。b6Nesmc
路透社、美联社等多家外电报导，三星7月4日宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型闪存厂房投入14.4兆韩元，并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩元。位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。b6Nesmc
最新数据显示，南韩6月份半导体出口价格创下30个月新高，再次证明全球芯片需求持续成长。南韩媒体Business korea.com报导，位于南韩平泽（Pyeongtaek）的三星内存厂正在加速扩厂，产业消息指出，东芝NAND产能仅能满足苹果七成需求，致使苹果紧急向三星下单，三星积极扩充产能或与此有关。b6Nesmc
内存厂商大手笔投资，让IC Insights忧心忡忡。该机构7月18日称，内存以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(YangtzeRiverStorage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新厂商加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(veryhigh)。b6Nesmc
b6Nesmc
