三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。BA4esmc
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4Tb容量。三星闪存产品与技术执行副裁Kye Hyun Kyung介绍，该芯片将在内存单元堆栈底部的新金属接合层嵌入周边电路，从而达到新的密度水平。BA4esmc
三星在日前举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上发布这项消息，其中还有几家竞对手则描述采用96层与每单元4bit的芯片。三星目前的512Gbit芯片采用9个垂直信道与64层，较前一代产品所采用的4信道与48层大幅提升。BA4esmc
Kyung表示，3D NAND可支持每单元4bit，已能满足业界大部份的非挥发性内存(NVM)需求。不过，他表示，三星已经从2002年起致力于开发具有次微米级延迟的磁性与相变内存(PCM)，最终将有助于缩短在NAND与DRAM之间的差距。BA4esmc
同时，三星也正为NetApp与Datera等用户出样采用其Z-NAND芯片的SSD产品；Z-NAND可支持低至15微秒的延迟。该芯片采用专为延迟优化的感测放大器，能以高达800Mbits/s的数据速率执行，并锁定用于执行分析与快取应用程序的数据中心。BA4esmc
三星目前正致力于开发第二代Z-NAND，支持每单元2bits的容量，其目的是为了使产品更加经济实惠，而其读取延迟预计将仅有些微提升。BA4esmc
Z-NAND产品可望挑战英特尔在今年3月发布的Optane SSD——采用3DXP芯片。市场研究公司Objective Analysis分析师Jim Handy表示，从该SSD采用的PCI Express汇排流目前所能实现的延迟来看，这款芯片最大的机会预计将来自于明年时搭载更快速内存总线的板卡应用。BA4esmc
除了芯片开发蓝图之外，三星还发布一系列开发中的新组件与SSD计划。BA4esmc
它将以每单元4bit封装高达32个1-Tbit芯片的线键堆栈至2TB或4TB组件中。而这些堆栈将再被封装至容量高达128TB的2.5寸SSD中。BA4esmc
此外，三星正与其他公司合作，为所谓的M.3尺寸标准化至30.5 x 110.0 x 4.38 mm的尺寸。它将会比现在的M.2服务器卡更宽，以便容纳16TB的容量，而在明年采用V-NAND芯片后可望支持高达5亿次IOPS的能力。三星并展示了一款参考设计，可用于1U储存服务器中提供576TB容量和1000万IOPS的效能。
三星的M.3原型卡底部与目前的M.2卡比较BA4esmc
同时，三星也在开发一种软件标准，使储存程序不必再转换成广泛使用的区块储存。所谓的Key Value SSD则以地址存取可变长度数据。BA4esmc
三星已经向NVMe和SNIA等产业组织提出技术建议，共同致力于使该途径成为开放标准。如果获得采用的话，三星也计划为此途径推出SDK和参考范例。BA4esmc
不过，三星并未针对其规格、基础制程技术或出货时程透露任何细节。BA4esmc
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