美光64层3D NAND后将超过72层数
近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash于2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，目前已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，2017年底出货量会非常大，已有基于QLC的裸片样本，未来将投放到市场中。UZFesmc
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2017年第二季度，美光NAND Flash市场份额为12.9%。受惠于企业SSD需求、市场供应短缺，以及3D NAND产能上升，NAND Flash营收表现良好。UZFesmc
Jonathan Shaw介绍，现在美光有一个管理机构，从生产角度提升产能并进行技术转化。在接下来的一年配备全自动化生产的工厂将有效促进产能的增加。UZFesmc
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现在各家原厂正积极的扩大64层/72层3D NAND的量产，三星、东芝/西部数据等也正在规划向下一代96层或更高的层数的QLC发展，当问及美光的72层 3D NAND有何进展时，Jonathan Shaw回答，美光的下一代产品必将超过72层，一切都在有条不紊的进行中。UZFesmc
美光还非常看好SSD市场的发展，伴随着3D NAND技术的快速发展，有机会通过3D TLC的SSD取代企业级HDD市场。企业级SSD出货将随着数据中心的需求而增长，因此美光未来的营收成长也将持续看好。UZFesmc
NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度
由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格强劲上涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0.12美元上涨到0.3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。Jonathan Shaw认为，闪存缺货形势或将于2018年第二季度缓解，但不是特别确定。他同时认为，供货情况应从细分市场来看，像存储卡类的市场供应并不紧张。UZFesmc
右：美光副总裁Jonathan ShawUZFesmc
实际上，据了解缺货能否得到缓解也要看几个因素。例如3D NAND的良率情况，各大厂商的扩产情况等。三星、西部数据、东芝、美光、英特尔等都已将扩展提上日程。现在美光新加坡IMFS Fab10N为美光3D NAND主力出货工厂，作为扩产计划的一部分，美光新加坡IMFS Fab10X工厂在2017年第一季度开始试产3D NAND，且将100%用于3D NAND生产。据介绍，2016-2017财年，美光3D NAND的生产占比约为75%，今年底将提升至80%。之所以保留了少部分2D NAND产能，是因为在车载、嵌入式应用、通讯设备方面都有长周期需求，故还将持续供货2D NAND。UZFesmc
三星尽管最先量产3D NAND，不过基本以自用为主，现在3D NAND释出市场的大部分为美光供应。美光也非常看好中国市场潜力。Jonathan Shaw表示，因为上游存储芯片供应商有限，导致市场并没有太多选择，而中国大陆市场基数大，需求旺盛，创新企业非常多，情形像极了四五年前的台湾。因此，美光也对中国大陆市场倾注更多的关注和供应。UZFesmc
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