据digitimes今日报道，东芝近期惊传日本晶圆厂紧急停工数周，损失近10万片的NAND Flash产能。中央社则报道称，市场传出东芝近期因转换新制程导致部分晶圆报废，恐将使得第4季储存型闪存（NAND Flash）缺货情况更加严重。lzOesmc
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台媒《电脑设备》表示，东芝的合作伙伴群联指出，有关东芝近期因转换新制程导致部分晶圆报废一事，群联早已掌握所有状况，亦已备好充裕库存，足以因应长期合作客户需求，也早已准备好启动紧急备货机制，所以此事对群联的营运将不造成影响。lzOesmc
群联指出，东芝晶圆供应更为吃紧已发生一段时间。东芝是群联的重要奥援，双方合作关系紧密，在市场供不应求的情形下群联一般能获得相对多的货源支持。lzOesmc
事实上，上周业内已有此传闻。lzOesmc
10月13日，CINNO报道称，根据CINNO Research从内存供应链业者所掌握到的最新消息，九月底发生东芝与西数在四日市市的NAND Flash合资厂因晶圆制造流程出现瑕疵以至于出现大批量晶圆报废的现象。lzOesmc
据CINNO估计，受冲击的产线大部分集中在最新的3D-NAND Flash以及少部份的15nm 2D-NAND产能，影响两间公司合计约8-9万片的12吋产能，因此预期10月以及11月的产能供给将出现短缺的现象，12月后的情况将视复工运作的情况以及3D-NAND Flash良率的进展而定。lzOesmc
不过，集邦咨询TrendForce旗下半导体研究中心DRAMeXchange上周在进一步调查后表示，东芝确实在产线上遭遇到一些问题，并致使整体产出的可用良率下降，但影响程度并不如外界所传严重，工厂产线亦未停摆。lzOesmc
今日，国际电子商情记者询问中国闪存市场网相关人士，他表示从获得的信息来看这个事件对市场没有大的影响。lzOesmc
据了解，东芝一间工厂的月产能约为10万片，如若真的损失近10万片晶圆，相当于损失的是其一间工厂一个月的产能。lzOesmc
目前东芝对此事没有做出任何表态。lzOesmc
对于停工的具体原因，目前尚未有确切说法，根据多家媒体报道，更多的说法倾向于晶圆制造流程出现问题。lzOesmc
此前就有媒体报道，2017年在非三星阵营3D-NAND制程转换不顺的影响下，3D-NAND产出占NANDFlash整体产业比重约50%。lzOesmc
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从NANDFlash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新增产能没有百分之百完善利用，再加上转换期间所带来的产能损失，让2017年市场呈现整体供不应求的状态。lzOesmc
从各厂制程进度来看，三星64层3D NAND自今年第三季已经开始进入量产阶段且今年第四季3D产能比重将突破50%，明年将提升到60-70%水平。lzOesmc
SK海力士今年第四季3D NAND产能占比约为总产能的20-30%水平，以48层3D NAND为主，但明年将会专注于扩充72层3D-NAND产能，3D NAND产能比重在2018年第四季也会来到40-50%。lzOesmc
东芝/西数阵营今年上半年主流制程为48层3D NAND，预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平，2018年第四季目标突破50%。lzOesmc
据供应链透露，近期NAND Flash市场其实原本已有供货稍微纾解的现象，如今再传出原厂生产变量，外界担忧市场供需将再度趋紧，第4季可能又是缺货的情况，价格涨势难以和缓。lzOesmc
据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，NAND Flash每GB的价格从2016年的0.12美金一路上涨至0.3美金，主流的eMMC价格上涨60%以上。目前，3D NAND产能虽然在逐渐增加，但仍不能完全解决缺货问题，预计部分市场供货紧张将持续到年底。lzOesmc
CINNO Research副总经理杨文得此前认为，虽然第四季各项NAND Flash相关合约价格多在此一突发事件前谈妥，对于短线各大智能型手机OEM的价格波动影响不大，然而最大的隐忧在于日前苹果调升了对于iPhone8 Plus的需求，再加上iPhone X需求蓄势待发，购机需求将从今年第四季延伸至明年第一季。在苹果迫切巩固货源的强势手段下，供货商势必得以满足苹果供应为优先指导方针，因此供货排挤的效应势预计也将从11月开始发酵，对于目前供货吃紧的渠道市场将更为严峻。lzOesmc
在综合考虑3D NAND Flash良率提升速度以及此一突发事件的影响，CINNO认为从今年初以来供不应求的NAND Flash市况有很大的机率将延伸至明年第一季。lzOesmc
2018年3D NAND产出占比将突破70%大关
2013年三星发售全球首款3D NAND设备，在IC（集成电路）业界达到了一个里程碑。lzOesmc
3D NAND技术与现有的2D NAND（纳米制程技术）截然不同，2D NAND是平面化的结构，而3D V-NAND是立体结构。3D NAND的立体结构是使用3D存储单元阵列来提高现有工艺制程下的单元密度和数据容量，以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效降低堆栈间的干扰，使用3D NAND技术应用将不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。lzOesmc
此外，3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。采用48层堆叠则可将NAND Flash Die容量提升至256Gb，突破2D NAND 128Gb容量，且较32层3D NAND更有成本和性能优势，这也是驱使Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因，使得2D技术向3D 技术切换点恰好拥有最佳的成本效益，同时结合这样的技术应用在未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD固态硬盘。lzOesmc
另外还有一个重要特性，就是每单位容量成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好，因为3D NAND是不再追求缩小Cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多Cell单元，并且还可以使用技术已经相当成熟的旧有工艺来生产3D NAND芯片，而使用旧工艺的好处正是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。lzOesmc
三星电子是最早宣布采用垂直堆叠3D V-NAND制程的制造商。2013年8月，三星宣布以现有厂房量产3D V-NAND，制程35nm，可以堆叠24层，容量可达128Gb V-NAND，到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。2016年开始将3D NAND应用延伸到嵌入式产品UFS 2.0中。lzOesmc
美光、SK海力士等也均宣布将在2016年推出基于3D NAND的SSD，英特尔更是研发先进的3D Xpoint技术，在2016年推出搭载3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。lzOesmc
东芝在2016年春季开始量产48层3D NAND，紧接着7月15日在它的三重县四日市的半导体二厂中举行启动仪式，今年2月，东芝宣布推出新一代基于64层3D NAND技术的basicBiCS FLASH 3D闪存。lzOesmc
东芝在3D NAND闪存方面的决心很大,计划2017年它的3D NAND占它的NAND出货量的50%,至2018财年增加到占80%。lzOesmc
2018年随着SK海力士、东芝/西数、美光/英特尔阵营的3D-NAND比重都将提升的情况下，2018年3D-NAND的产出占比将突破70%大关。lzOesmc
3DNAND制造关键工艺lzOesmc
3DNAND制造中的关键工艺如下图所示：lzOesmc
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3D NAND的制造工艺十分复杂，以下把关键部分列出：lzOesmc
• High aspect ratio trenches
高深宽比的沟开挖lzOesmc
• No doping on source or drain
在源与漏中不掺杂lzOesmc
• Perfectly parallel walls
完全平行的侧壁lzOesmc
• Tens of stairsteps
众多级的楼梯(台阶)lzOesmc
• Uniform layer across wafer
在整个硅片面上均匀的淀积层lzOesmc
• Single-Litho stairstep
一步光刻楼梯成形lzOesmc
• Hard mask etching
硬掩模付蚀lzOesmc
• Processing inside of hole
通孔工艺lzOesmc
• Deposition on hole sides
孔内壁淀积工艺lzOesmc
• Polysilicon channels
多晶硅沟道lzOesmc
• Charge trap storage
电荷俘获型存储lzOesmc
• Etch through varying materials
各种不同材料的付蚀lzOesmc
• Deposition of tens of layers
淀积众多层材料lzOesmc
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