威刚2017年12月虽受到客户及通路年底结帐影响，但第四季合并营收达新台币82.28亿元，营运表现维持高档，并较前年同期成长10.8％；2017年全年合并营收达新台币322.25亿元，较前年成长38.8％。1uZesmc
DRAM方面，陈立白指出，大家今年害怕的点主要在三星的扩产，但事实上三星对扩产一事也非常谨慎与小心，因此今年DRAM的市场态势已提前大势底定，可说一整年都是晴空万里。1uZesmc
陈立白进一步分析，市场担心三星将平泽12吋厂的第二层楼改成DRAM投片，但事实上，新产能开出仍然影响不了整体市场供需，但三星对于扩DRAM产能一事，其实很小心，尤其第一，三星去年赚钱多半取自DRAM，可说是集团获利的金鸡母；第二，NAND今年还有战役要打，所以三星不会自己去把获利的DRAM市场打乱。1uZesmc
NAND方面，陈立白坦言2017年涨太多了，加上今年新增产能比较多，上半年会处于去化产能的状态下，恐有供给过剩压力，而市场上均认为今年第一季会跌价，但进入第三季后，新手机采购需求出来，市场自然有机会回到供不应求的状态。1uZesmc
陈立白指出，下半年智能型手机搭载的DRAM及NAND Flash容量都会变大，所以上半年已经缺货的DRAM，下半年会更缺，NAND Flash上半年供给过剩，价格跌一波下来后，第三季后半有机会止跌。1uZesmc
DRAM无新增产能
财讯快报日前报道也指出，DRAM以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就是制程从2X奈米推进到1X奈米或是1Y奈米，带动位的成长。市调单位集邦科技更直接表示，2018年各DRAM厂资本支出计划都倾向保守，新增投片量约5～7％，这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。1uZesmc
此外集邦也提到，随着智能手机内存容量升级以及服务器、资料中心需求强劲，2018年DRAM需求将成长约20.6％，供给端方面预估将提升19.6％，所以整体来看，2018年整体DRAM产业供需持续吃紧无虞。1uZesmc
但目前在DRAM仍有两点要 观察，第一、虽然2018年整体DRAM端无新增Fab的产能出来，但是三星有意在平泽（Pyeongtaek）兴建第二座12吋厂，SK海力士也将在无锡兴建第二座12吋厂，这两大厂的新厂产能最快2019年才会开出。1uZesmc
韩媒持续报导提到，三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑，二楼无尘室将近完工，这些空间将投入DRAM的扩建。但据业者透露，这两层楼中，有一层是投入3D NAND的扩产，至于另外一层楼中，有意置入月产能五万片的DRAM产线，设备商也透露称三星还没下单采购设备，因此所谓新增5万片的DRAM产能想在2018年就开出，真的很困难。1uZesmc
服务器记忆体合约价续涨
第二个观察点是，DRAM种类繁多，包括Commodity、Specialty、Mobile、Server等DRAM，因为彼此间有产能排挤效应，究竟在2018年，哪几种会最缺，价格涨幅最大，市况还不明朗，因为国际三大DRAM厂，三星、SK海力士与美光，尚未揭露2018年的产品组合。1uZesmc
但市调单位集邦科技提前预测2018年最缺的会是Server DRAM。集邦认为，资料中心的服务器需求与日俱增，2018年服务器记忆体的成长率将达28.6％，续居记忆体各大产品线之首，带动价格上涨，主要原因包括第一、Intel与AMD新服务器平台转换推波助澜，以及第二、北美网路服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook与Microsoft Azure在新资料中心建案上的需求。1uZesmc
2018年第一季度服务器记忆体合约价将再上涨约5～8％，届时主流模组报价方面，一线厂32GB服务器模组将达300美元大关，二线厂更会高于此价格，使得2018年第一季度价格将会维持在相对高点。1uZesmc
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对于2018年NAND产业，业界多估“先下后上”，与NAND产业连动性最高的群联董事长潘健成估第一季价跌需求增、第二季报价回稳、第三季供不应求。但其实因3D NAND良率终于快速上升，尤其64/72层3D NAND纷纷量产，并已优先应用于SSD产品线，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起涨价，通路商开始大举抛货，报价下看30美元。1uZesmc
本文综合自财讯快报、工商时报报道1uZesmc
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